[發(fā)明專利]恒流二極管的制造方法和恒流二極管

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410324088.2
• 申請(qǐng)日: 2014-07-08
• 公開（公告）號(hào): CN105448711A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃宇萍;趙圣哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/329
• 分類號(hào): H01L21/329;H01L29/861
• 代理公司: 北京友聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11343
• 代理人: 尚志峰;汪海屏

1.一種恒流二極管的制造方法，其特征在于，包括：

在形成有溝槽的襯底表面生長(zhǎng)柵氧化層，并在所述柵氧化層的表面淀積多晶硅層；

對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行回刻，并在經(jīng)過回刻處理之后的襯底表面生長(zhǎng)第一介質(zhì)層；

對(duì)所述第一介質(zhì)層進(jìn)行光刻、刻蝕，以得到接觸孔；

向形成有所述接觸孔的襯底表面注入摻雜離子并做退火處理，以形成阱區(qū)；

在形成有所述阱區(qū)的襯底表面生長(zhǎng)金屬層，以得到所述恒流二極管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒流二極管的制造方法，其特征在于，還包括：

在形成有外延層的襯底表面生長(zhǎng)第二介質(zhì)層，以得到襯底結(jié)構(gòu)，所述第二介質(zhì)層位于所述外延層的上方；

對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行光刻、刻蝕，以形成掩膜；

以所述第二介質(zhì)層為掩膜對(duì)所述襯底結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以得到所述溝槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的恒流二極管的制造方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層均為致密的絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒流二極管的制造方法，其特征在于，所述襯底為N型襯底，所述阱區(qū)為N型阱區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的恒流二極管的制造方法，其特征在于，向所述襯底表面注入的摻雜離子為磷離子或砷離子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恒流二極管的制造方法，其特征在于，所述襯底為P型襯底，所述阱區(qū)為P型阱區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的恒流二極管的制造方法，其特征在于，向所述襯底表面注入的摻雜離子為硼離子。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的恒流二極管的制造方法，其特征在于，所述刻蝕為干法刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的恒流二極管的制造方法，其特征在于，所述金屬層為復(fù)合金屬層。

10.一種恒流二極管，其特征在于，所述恒流二極管采用如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的恒流二極管的制造方法制造而成。