[發明專利]從氣流中除去污染物

有效

• 申請號: 201410324080.6
• 申請日: 2008-10-09
• 公開（公告）號: CN104107617A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發明（設計）人: R·施密特;R·W·莫頓;J·B·克羅斯;E·L·薩格魯二世;A·C·昌
• 申請（專利權）人: 拉默斯技術公司
• 主分類號: B01D53/02
• 分類號: B01D53/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張蓉珺;林柏楠

1.一種處理氣體的方法，包括：

(a)將原始氣流引入吸附區，其中所述原始氣流包含10至75體積％一氧化碳(CO)、8至50體積％氫氣(H₂)、4至40體積％水(H₂O)和0.001至5體積％硫化氫(H₂S)；

(b)使至少一部分所述原始氣流在所述吸附區中與初始吸附劑接觸，由此產生產物氣流和載硫吸附劑，其中所述初始吸附劑包含Zn和促進劑金屬；

(c)干燥至少一部分所述載硫吸附劑，由此產生干燥的載硫吸附劑；和

(d)在再生區中在再生條件下再生至少一部分所述干燥的載硫吸附劑，由此產生再生的吸附劑和廢氣流，

其中所述再生的吸附劑包含少于20重量％的在步驟(d)的所述再生過程中形成的吸附劑破壞化合物，

其中用250至650℃的初始溫度進行步驟(d)的所述再生，其中步驟(d)的所述再生進一步包括在小于24小時的時期內在所述初始溫度以上將所述再生區的溫度提高至少75℃。

2.權利要求1的方法，其中所述載硫吸附劑包含10至20重量％吸附的硫，其中步驟(d)的所述再生除去至少90重量％的所述吸附的硫。

3.權利要求1的方法，其中所述吸附劑破壞化合物包括含氧硫酸鋅和/或硅酸鋅。

4.權利要求1的方法，其中所述原始氣流進一步包括百萬分之100至5,000體積份(ppmv)的硫化羰(COS)和50至2,000ppmv的鹽酸(HCl)，其中所述產物氣流包含少于20ppmv的所述HCl和/或所述COS。

5.權利要求1的方法，其中所述產物氣包含少于50ppmv的H₂S。

6.權利要求1的方法，其中所述初始吸附劑包含以式M_AZn_B為特征的置換金屬固溶體，其中M是所述促進劑金屬，其中A和B為0.01至0.99，其中所述促進劑金屬是鎳。

7.權利要求1的方法，進一步包括將至少一部分所述再生的吸附劑引入所述吸附區，其中引入所述吸附區的所述再生的吸附劑包含以式M_XZn_YO為特征的置換金屬氧化物固溶體，其中M是所述促進劑金屬，其中X和Y為0.01至0.99。

8.一種處理氣體的方法，包括：

(a)將原始氣流引入吸附區，其中所述原始氣流包含10至75體積％一氧化碳(CO)、8至50體積％氫氣(H₂)、4至40體積％水(H₂O)和0.001至5體積％硫化氫(H₂S)；

(b)使至少一部分所述原始氣流在所述吸附區中與初始吸附劑接觸，由此產生產物氣流和載硫吸附劑，其中所述初始吸附劑包含Zn和促進劑金屬；

(c)干燥至少一部分所述載硫吸附劑，由此產生干燥的載硫吸附劑；和

(d)在再生區中在再生條件下再生至少一部分所述干燥的載硫吸附劑，由此產生再生的吸附劑和廢氣流，

其中所述再生的吸附劑包含少于20重量％的在步驟(d)的所述再生過程中形成的吸附劑破壞化合物，

其中步驟(d)的所述再生包括將具有大于1,000h^-1的初始標準時空速(SGHSV)的再生氣引入所述再生區，其中步驟(d)的所述再生包括將所述再生氣的SGHSV提高至少1,000h^-1。

9.權利要求8的方法，其中所述載硫吸附劑包含10至20重量％吸附的硫，其中步驟(d)的所述再生除去至少90重量％的所述吸附的硫。

10.權利要求8的方法，其中所述吸附劑破壞化合物包括含氧硫酸鋅和/或硅酸鋅。

11.權利要求8的方法，其中所述原始氣流進一步包括百萬分之100至5,000體積份(ppmv)的硫化羰(COS)和50至2,000ppmv的鹽酸(HCl)，其中所述產物氣流包含少于20ppmv的所述HCl和/或所述COS。

12.權利要求8的方法，其中所述產物氣包含少于50ppmv的H₂S。