[發明專利]自發光互補金屬氧化物半導體影像傳感器封裝有效
| 申請號： | 201410324030.8 | 申請日： | 2014-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN104284110A | 公開（公告）日： | 2015-01-14 |
| 發明（設計）人： | 雷俊釗;古安豪·G·查奧 | 申請（專利權）人： | 全視技術有限公司 |
| 主分類號： | H04N5/374 | 分類號： | H04N5/374;H01L27/146;A61B1/00 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 互補 金屬 氧化物 半導體 影像 傳感器 封裝 | ||
1.一種在微電子芯片中承載互補金屬氧化物半導體影像傳感器，其改良包括：
發光二極管發射器與該芯片整合。
2.根據權利要求1所述的微電子芯片，其是形成于砷化鎵基板上。
3.根據權利要求2所述的微電子芯片，其包括發光二極管部分區域，是形成于砷化鋁鎵的上。
4.根據權利要求2所述的微電子芯片，其包括互補金屬氧化物半導體傳感器部分區域，是形成于砷化銦鎵的上。
5.根據權利要求2所述的微電子芯片，其包括形成在砷化鋁鎵的上的發光二極管部分區域以及形成在砷化銦鎵的上的互補金屬氧化物半導體傳感器部分區域。
6.根據權利要求1所述的微電子芯片，其包括該微電子芯片的協助運作電路，是形成于未處理的砷化鎵的上。
7.根據權利要求1所述的微電子芯片，其包括發光二極管透鏡間隔，是用以提供該發光二極管發射器所投射的光線光學路徑。
8.根據權利要求1所述的微電子芯片，其包括互補金屬氧化物半導體傳感器透鏡間隔，是用以提供光學路徑使光線傳遞至該互補金屬氧化物半導體傳感器。
9.根據權利要求1所述的微電子芯片，其包括：
發光二極管透鏡間隔，是用以提供該發光二極管發射器所投射的光線第一光學路徑；
互補金屬氧化物半導體傳感器透鏡間隔，是用以提供第二光學路徑使光線傳遞至該互補金屬氧化物半導體傳感器；以及
光分路器，是實質上將該第一光學路徑與該第二光學路徑隔離。
10.根據權利要求1所述的微電子芯片，其包括該發光二極管發射器與該互補金屬氧化物半導體影像傳感器共享的至少一個共享電性連接。
11.根據權利要求10所述的微電子芯片，其中該共享電性連接是包括電源線。
12.根據權利要求10所述的微電子芯片，其中該共享電性連接是包括接地線。
13.根據權利要求10所述的微電子芯片，其中該至少一個共享電性連接包括電源線和接地線。
14.根據權利要求13所述的微電子芯片，其中該互補金屬氧化物半導體影像傳感器是在前面照射方向。
15.根據權利要求13所述的微電子芯片，其中該互補金屬氧化物半導體影像傳感器是在背面照射方向。
16.根據權利要求1所述的微電子芯片，其是可安裝在內視鏡的上操作，以提供影像的用。
17.根據權利要求1所述的微電子芯片，其是安裝在相機的上，以提供影像的用。
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