[發明專利]一種高調諧壓控透明氧化鎳薄膜電容器的制備方法

有效

• 申請號: 201410323819.1
• 申請日: 2014-07-08
• 公開（公告）號: CN104078238B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發明（設計）人: 李玲霞;許丹;于士輝;董和磊;金雨馨
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H01G4/33
• 分類號: H01G4/33;C23C14/58;C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所12201
• 代理人: 張宏祥

1.一種高調諧壓控透明氧化鎳薄膜電容器的制備方法，具有如下步驟：

(1)清洗基片

將表面附有電極的透明導電玻璃基片放入有機溶劑中超聲清洗，用去離子水沖洗后在氮氣流中進行干燥；

(2)制備NiO薄膜

(a)將步驟(1)干燥后的導電玻璃基片放入磁控濺射樣品臺上，將金屬Ni靶材裝置在相應的射頻濺射靶上，再將磁控濺射系統的本底真空抽至6.0×10^-6Torr，然后加熱導電玻璃基片至600℃；

(b)以高純Ar和O₂作為濺射氣體，濺射氣壓為10mTorr，濺射功率為150W，進行濺射沉積得到NiO薄膜；

(c)將步驟(b)得到的NiO薄膜置于氣氛爐中進行后退火處理，通入純度為99％的O₂，退火氣壓為0.02Mpa；

(3)制備頂電極

(a)將步驟(2)(c)退火后的NiO薄膜放入磁控濺射樣品臺上，將ITO靶材裝置在相應的射頻濺射靶上，然后將磁控濺射的本底真空抽至6.0×10^-6Torr，加熱襯底至600℃；

(b)以高純Ar和O₂作為濺射氣體，濺射氣壓為10mTorr，濺射功率為200W，濺射沉積ITO薄膜頂電極；制得高調諧壓控透明氧化鎳薄膜電容器。

2.根據權利要求1所述的一種高調諧壓控透明氧化鎳薄膜電容器的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)的基片為FTO導電玻璃基片或者ITO導電玻璃基片，其表面附有電極。

3.根據權利要求2所述的一種高調諧壓控透明氧化鎳薄膜電容器的制備方法，其特征在于，所述FTO導電玻璃的表面附有摻氟氧化銦的電極，ITO導電玻璃的表面附有摻銦氧化錫的電極。

4.根據權利要求1所述的一種高調諧壓控透明氧化鎳薄膜電容器的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)的有機溶劑為丙酮或者酒精。

5.根據權利要求1所述的一種高調諧壓控透明氧化鎳薄膜電容器的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)(a)的金屬Ni靶材與步驟(3)(b)的ITO靶材的純度大于99.99％。

6.根據權利要求1所述的一種高調諧壓控透明氧化鎳薄膜電容器的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)(b)與步驟(3)(b)的氬氣和氧氣的純度為99.99％。

7.根據權利要求1所述的一種高調諧壓控透明氧化鎳薄膜電容器的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)(c)的后退火溫度為500-700℃，退火時間為10min。