[發(fā)明專利]一種復(fù)位電路及電路復(fù)位方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410323459.5 | 申請日: | 2014-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN105306027B | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王晉雄;郝先人;原義棟;王紅凱;洪建光;龔小剛;夏威 | 申請(專利權(quán))人: | 國家電網(wǎng)公司;北京南瑞智芯微電子科技有限公司;國網(wǎng)甘肅省電力公司;國網(wǎng)甘肅省電力公司電力科學(xué)研究院;國網(wǎng)浙江省電力公司信息通信分公司 |
| 主分類號: | H03K17/22 | 分類號: | H03K17/22 |
| 代理公司: | 北京中譽威圣知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279 | 代理人: | 郭振興;王正茂 |
| 地址: | 100031 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 復(fù)位 電路 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種復(fù)位電路及電路復(fù)位方法。其中復(fù)位電路包括電流源,所述電流源提供與電源電壓無關(guān)的參考電流源;第一電流鏡,所述第一電流鏡與所述電流源連接,為電路中各支路提供基準電流;第二電流鏡,所述第二電流鏡與所述第一電流鏡連接,作為第一電流鏡的負載;整形電路,所述整形電路與所述第二電流鏡連接,為所述第二電流鏡的輸出電流整形以形成復(fù)位信號。該電路主要用于降低復(fù)位電路的功耗同時提高復(fù)位精度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種復(fù)位電路及電路復(fù)位方法。
背景技術(shù)
復(fù)位電路的作用有兩個,其一是上電時當電源已經(jīng)達到正常工作所需電位時,該電路產(chǎn)生整個芯片的復(fù)位信號;其二,當電源電壓降低到一定水平時,該電路可以使整個芯片進行復(fù)位,防止出現(xiàn)錯誤翻轉(zhuǎn)。因為當電源電壓較低,但又高于邏輯低電平時,數(shù)字電路的邏輯門會發(fā)生非正常的參差不齊的翻轉(zhuǎn)從而造成整個數(shù)字電路邏輯混亂。特別地涉及到存儲器的寫操作時,錯誤的數(shù)字電路動作可能會引起數(shù)據(jù)安全等問題。
目前常用的同時具備上電復(fù)位和下電復(fù)位電路方案其原理均一樣,即由電源電壓產(chǎn)生一個相關(guān)檢測電壓,然后通過比較器判斷該檢測電壓與參考電壓來產(chǎn)生復(fù)位信號,參考電壓產(chǎn)生電路可以是帶隙基準電路也可以是晶體管的閾值電壓。如圖1所示,上電時,電阻R1和R2分壓得到與電源電壓相關(guān)的檢測電壓VA,參考電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生一個帶隙基準電壓VB,比較器A1對VA和VB進行判斷,經(jīng)過整形電路D1后產(chǎn)生復(fù)位信號RST。但是,圖1所示的復(fù)位電路存在以下問題:1、檢測電壓產(chǎn)生電路電阻面積太大;2、參考電壓產(chǎn)生電路功耗大,而且隨著電源電壓的增加,電阻R1和R2通路的電流消耗也會增加,無法滿足低功耗應(yīng)用;3、參考電壓產(chǎn)生電路只有在電源上電到一定值時才會工作,因而也無法應(yīng)用于低電壓環(huán)境中。
為了解決圖1中復(fù)位電路的上述問題,出現(xiàn)了圖2所示的復(fù)位電路,檢測電壓電路由MOS管取代,解決了面積大的問題,同時參考電壓電路采用晶體管的閾值電壓,降低了整個電路功耗。但是這種復(fù)位電路在電源電壓達到正常電壓后,由PMOS MP1和NMOS MN1構(gòu)成的支路一致導(dǎo)通,仍然存在大的靜態(tài)電流,而且上電復(fù)位點和下電復(fù)位點完全由MP1、MN1構(gòu)成的支路的電流和MN2的閾值決定,受工藝、溫度和電源電壓影響大,不同工藝角和溫度下,上電復(fù)位點和下電復(fù)位點離散度大。
通過對以上現(xiàn)有技術(shù)的研究和實際電路應(yīng)用環(huán)境的考慮,很容易發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)存在以下缺點:(1)、采集電源電壓的電阻串面積太大,而且功耗隨電源電壓的增大而增加。(2)、帶隙基準電路靜態(tài)功耗過大,且電源上電的過程中,帶隙基準電壓電路在一定的電源電壓時才能建立好,無法應(yīng)用于低電源電壓環(huán)境中。(3)、復(fù)位信號的復(fù)位點隨工藝、溫度變化較大。本專利針對以上的技術(shù)缺點提出了相應(yīng)的解決方案。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)的復(fù)位電路中,功耗大、面積大,且工藝和溫度對上電復(fù)位點和下電復(fù)位點影響很大的技術(shù)問題,本發(fā)明提出一種復(fù)位電路及電路復(fù)位方法。
一種復(fù)位電路,包括:
電流源,電流源提供與電源電壓無關(guān)的參考電流源;
第一電流鏡,第一電流鏡與電流源連接,為電路中各支路提供基準電流;
第二電流鏡,第二電流鏡與第一電流鏡連接,作為第一電流鏡的負載;
整形電路,整形電路與第二電流鏡連接,為第二電流鏡的輸出電流整形以形成復(fù)位信號。
優(yōu)選地,該方案還可包括:
電源電壓,與電流源、第二電流鏡和整形電路分別連接;
耦合電容,與電源電壓連接,提供電源電壓到復(fù)位信號所在的復(fù)位點的耦合通路。
其中,第一電流鏡由三個N溝道MOS管MN0,MN1和MN2組成;
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