[發明專利]PECVD薄膜淀積設備及其熱盤

無效

• 申請號: 201410323417.1
• 申請日: 2014-07-08
• 公開（公告）號: CN104064458A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 梁建雄;周冰
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/314
• 分類號: H01L21/314;C23C16/513
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐潔晶

1.一種PECVD薄膜淀積設備的熱盤(100)，位于工藝腔內，所述熱盤(100)上均勻地分布有八個工藝位置(101)，每個所述工藝位置(101)上的晶圓通過鋁叉(102)旋轉傳遞到與之相鄰的下一工藝位置(101)上；其中，在所述熱盤(100)的每個所述工藝位置(101)上分布有多道貫穿工藝區域的疏氣痕(103)。

2.根據權利要求1所述的PECVD薄膜淀積設備的熱盤(100)，其特征在于，在每個所述工藝位置(101)上，均勻分布有縱向四道、橫向七道所述疏氣痕(103)。

3.根據權利要求2所述的PECVD薄膜淀積設備的熱盤(100)，其特征在于，每道所述疏氣痕(103)的寬度為1mm，深度為1mm。

4.根據權利要求3所述的PECVD薄膜淀積設備的熱盤(100)，其特征在于，所述熱盤(100)的材質為鋁，所述疏氣痕(103)是由鎢鋼刀具刻劃出來的。

5.根據權利要求4所述的PECVD薄膜淀積設備的熱盤(100)，其特征在于，所述熱盤(100)的表面被打磨至無突起。

6.一種PECVD薄膜淀積設備，包括位于工藝腔內的一熱盤(100)，所述熱盤(100)上均勻地分布有八個工藝位置(101)，每個所述工藝位置(101)上的晶圓通過鋁叉(102)旋轉傳遞到與之相鄰的下一工藝位置(101)上；其中，在所述熱盤(100)的每個所述工藝位置(101)上分布有多道貫穿工藝區域的疏氣痕(103)。

7.根據權利要求6所述的PECVD薄膜淀積設備，其特征在于，在每個所述工藝位置(101)上，均勻分布有縱向四道、橫向七道所述疏氣痕(103)。

8.根據權利要求7所述的PECVD薄膜淀積設備，其特征在于，每道所述疏氣痕(103)的寬度為1mm，深度為1mm。

9.根據權利要求8所述的PECVD薄膜淀積設備，其特征在于，所述熱盤(100)的材質為鋁，所述疏氣痕(103)是由鎢鋼刀具刻劃出來的。

10.根據權利要求9所述的PECVD薄膜淀積設備，其特征在于，所述熱盤(100)的表面被打磨至無突起。