[發明專利]在FinFET中形成鰭狀物的方法有效
| 申請號： | 201410323256.6 | 申請日： | 2014-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN105448719B | 公開（公告）日： | 2018-12-07 |
| 發明（設計）人： | 禹國賓 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陸勍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | finfet 形成 鰭狀物 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在FinFET中形成鰭狀物的方法，其特征在于，包括：
a.提供一襯底，在所述襯底上形成一介質層；
b.圖案化并蝕刻所述介質層，以形成在所述襯底上彼此分開的多個側壁以及相鄰兩個側壁之間的至少一個溝槽；
c.在所述溝槽中交錯形成第一外延材料和第二外延材料，以構成依次交錯的多個第一外延層和多個第二外延層；
d.去除所述多個側壁；以及
e.選擇性地蝕刻所述第一外延材料，以去除所述第一外延層的兩側部分而僅保留所述第一外延層的中間部分。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底是硅襯底，且所述介質層的材料是SiN、SiO2、SiON或者無定形碳。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一外延材料是SiGe，所述第二外延材料是Si，且所述構成依次交錯的多個第一外延層和多個第二外延層的步驟包括：將SiGe外延生長的步驟和Si外延生長的步驟交錯執行若干次。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，選擇性地蝕刻所述第一外延材料的步驟包括：將HCl、HBr或CF4中的至少一種作為蝕刻劑來蝕刻所述SiGe。
5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述SiGe中的Si與Ge的原子比在10:1至1:10之間。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
