[發明專利]電子裝置、光盤裝置、顯示裝置和攝像裝置

在審

• 申請號: 201410323143.6
• 申請日: 2014-07-08
• 公開（公告）號: CN104300090A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 渡部義昭;河角孝行
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;G11B7/12;H04N5/369
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 梁興龍;曹正建

相關申請的交叉參考

本申請要求享有于2013年7月16日提交的日本在先專利申請JP2013-147743的權益，其全部內容以引用的方式并入本文。

技術領域

本公開涉及一種具有保護膜的電子裝置、光盤裝置、顯示裝置和攝像裝置。

背景技術

近年來，各種激光二極管元件(半導體發光元件)已廣泛用作光盤記錄和再現裝置用的光源。近來，作為記錄密度高的下一代高密度光盤用的光源，對使用諸如氮化鎵(GaN)等III-V族氮化物半導體的藍紫色激光二極管元件的需求增大。

在這些激光二極管元件的共振器端面上形成由氧化物制成的保護膜以防止外部水分進入以及防止激光二極管元件的劣化和損壞。對于這種保護膜，使用了SiO₂、SiN、AlO和AlN等(例如，參照日本未審查專利申請公開No.2011-060932、2007-324193、2003-332032、2006-041403和2007-189097)。

在用于保護膜的上述材料中，SiO₂耐水性優異。然而，由于SiO₂熱導率低，所以在激光二極管元件的操作過程中SiO₂很難有效地放熱。此外，與氧化物相比，諸如SiN和AlN等氮化物在成膜過程中的膜應力更可能增大，并且對于氮化物來說很難維持穩定的成膜條件。此外，在氮化飽和度不充分的情況下，氮化物可能吸收特定波長的光。此外，AlO的多結晶化可能由于外部水分或AlO中所含的水分而加速，從而引起膜的體積變化或諸如折射率等光學性能的變化。

因此，例如，如日本未審查專利申請公開No.2011-060932中所述的，考慮了在覆蓋共振器端面的AlO上進一步形成耐水性SiO₂的方法。然而，在這種情況下，AlO中所含的水分沒有釋放到外部，并且水分局限在AlO內部；因此，很難消除由多結晶化導致的劣化發生的可能性。因此，期望一種熱導率高并且不太可能被水分劣化的保護膜。

發明內容

希望提供一種具有高放熱性和高可靠性的保護膜的電子裝置、光盤裝置、顯示裝置和攝像裝置。

根據本公開的實施方案，提供了一種電子裝置，包括：電子元件；和包括氧化鋁層和氧化硅的保護膜，所述氧化鋁層覆蓋所述電子元件，所述氧化硅散布在所述氧化鋁層的表面上。

根據本公開的實施方案，提供了一種光盤裝置，包括：具有記錄面的光盤；向所述光盤的記錄面施加照射光的光源；檢測來自所述光盤的記錄面的反射光的光電探測器；和控制所述光盤、所述光源和所述光電探測器的操作的控制部，其中所述光源包括：具有被構造成發射所述照射光的共振器端面的半導體發光元件，和包括氧化鋁層和氧化硅的保護膜，所述氧化鋁層覆蓋所述半導體發光元件的共振器端面，所述氧化硅散布在所述氧化鋁層的表面上。

根據本公開的實施方案，提供了一種顯示裝置，包括：一對基板；夾在所述一對基板之間并按順序包括第一電極、有機層和第二電極的有機發光元件；和包括氧化鋁層和氧化硅的保護膜，所述氧化鋁層覆蓋所述有機發光元件的端部，所述氧化硅散布在所述氧化鋁層的表面上

根據本公開的實施方案，提供了一種攝像裝置，包括：攝像元件，所述攝像元件包括光接收部和集光部，所述光接收部包括光電轉換元件，所述集光部被構造成將入射光聚集到所述光接收部上；和包括氧化鋁層和氧化硅的保護膜，所述氧化鋁層覆蓋所述攝像元件，所述氧化硅散布在所述氧化鋁層的表面上。

在根據本公開實施方案的電子裝置、光盤裝置、顯示裝置和攝像裝置中，氧化硅散布在覆蓋電子元件的氧化鋁層的表面上；因此，在防止水分進入氧化鋁層中的同時，使氧化鋁層中所含的水分釋放到外部。此外，氧化鋁層的熱導率高，并且有效地將熱從散布氧化硅的地方之間的間隙放出到外部。

在根據本公開實施方案的電子裝置、光盤裝置、顯示裝置和攝像裝置中，包括放熱性高并且構造和性能劣化較少的保護膜；因此，可以長期穩定地提供高操作性能。

應當理解不論上述概括說明還是以下詳細說明都是示例性的，并且其目的是用來提供對所請求保護的技術的進一步解釋。

附圖說明

所包含的附圖是為了提供對本技術的進一步理解，其包含在本說明書中并構成本說明書的一部分。附圖與說明書一起示出實施方案并用來解釋本技術的原理。

圖1是示出包括根據本公開第一實施方案的半導體發光元件的發光裝置的示意性構造的斷面圖。

圖2是圖1所示的發光裝置的另一個斷面圖。

圖3A是示出圖1所示的半導體發光元件的制造過程的斷面圖。