[發(fā)明專利]研磨方法及研磨裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410323137.0
• 申請(qǐng)日: 2014-07-08
• 公開（公告）號(hào): CN104282533A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金馬利文;八木圭太
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社荏原制作所
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/67;B24B37/005;B24B37/04
• 代理公司: 上海市華誠律師事務(wù)所 31210
• 代理人: 梅高強(qiáng);劉煜

1.一種研磨方法，其特征在于，

對(duì)基板的周緣部是否有異常部位進(jìn)行檢查，

在未檢測出所述異常部位的場合，對(duì)所述基板進(jìn)行研磨，

在檢測出所述異常部位的場合，不對(duì)所述基板進(jìn)行研磨。

2.如權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，在所述基板的研磨后，再次對(duì)所述基板的周緣部是否有異常部位進(jìn)行檢查。

3.如權(quán)利要求2所述的研磨方法，其特征在于，當(dāng)在研磨后的所述基板的周緣部檢測出異常部位的場合，不開始后續(xù)的基板的研磨。

4.如權(quán)利要求2所述的研磨方法，其特征在于，當(dāng)在研磨后的所述基板的周緣部檢測出異常部位的場合，變更后續(xù)的基板的研磨的研磨條件。

5.如權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，對(duì)所述基板的周緣部是否有異常部位的檢查，是取得基板的周緣部的圖像，并基于該圖像而對(duì)所述基板的周緣部是否有異常部位進(jìn)行檢查的工序。

6.如權(quán)利要求5所述的研磨方法，其特征在于，基于所述圖像而對(duì)所述基板的周緣部是否有異常部位進(jìn)行檢查的工序，是通過對(duì)指標(biāo)值與規(guī)定閾值進(jìn)行比較，而對(duì)所述基板的周緣部是否有異常部位進(jìn)行檢查的工序，所述指標(biāo)值表示出現(xiàn)在所述圖像上的所述異常部位的特征。

7.如權(quán)利要求6所述的研磨方法，其特征在于，所述指標(biāo)值表示所述異常部位的大小、長度、形狀和顏色濃淡中的某一個(gè)。

8.如權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，當(dāng)由多個(gè)基板構(gòu)成的每一組中，存在異常部位的基板的枚數(shù)達(dá)到設(shè)定值時(shí)，不開始后續(xù)的基板的研磨。

9.如權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述基板是通過將器件基板與硅基板貼合在一起而制成的SOI基板。

10.如權(quán)利要求9所述的研磨方法，其特征在于，所述異常部位是附著在所述SOI基板的露出面上的異物或所述SOI基板的硅層剝離的部位。

11.一種研磨方法，其特征在于，

對(duì)基板進(jìn)行研磨，

暫時(shí)中斷所述基板的研磨，對(duì)所述基板的周緣部是否有異常部位進(jìn)行檢查，

在未檢測出所述異常部位的場合，再次開始所述基板的研磨，

在檢測出所述異常部位的場合，結(jié)束所述基板的研磨。

12.如權(quán)利要求11所述的研磨方法，其特征在于，在所述基板的研磨后，再次對(duì)所述基板的周緣部是否有異常部位進(jìn)行檢查。

13.如權(quán)利要求12所述的研磨方法，其特征在于，當(dāng)在研磨后的所述基板的周緣部檢測出異常部位的場合，不開始后續(xù)的基板的研磨。

14.如權(quán)利要求12所述的研磨方法，其特征在于，當(dāng)在研磨后的所述基板的周緣部檢測出異常部位的場合，變更后續(xù)的基板的研磨的研磨條件。

15.如權(quán)利要求11所述的研磨方法，其特征在于，對(duì)所述基板的周緣部是否有異常部位的檢查，是取得基板周緣部的圖像，并基于該圖像而對(duì)所述基板的周緣部是否有異常部位進(jìn)行檢查的工序。

16.如權(quán)利要求15所述的研磨方法，其特征在于，基于所述圖像而對(duì)所述基板的周緣部是否有異常部位進(jìn)行檢查的工序，是通過對(duì)指標(biāo)值與規(guī)定閾值進(jìn)行比較，而對(duì)所述基板的周緣部是否有異常部位進(jìn)行檢查的工序，所述指標(biāo)值表示出現(xiàn)在所述圖像上的所述異常部位的特征。

17.如權(quán)利要求16所述的研磨方法，其特征在于，所述指標(biāo)值表示所述異常部位的大小、長度、形狀和顏色濃淡中的某一個(gè)。

18.如權(quán)利要求11所述的研磨方法，其特征在于，當(dāng)由多個(gè)基板構(gòu)成的每一組中，存在異常部位的基板枚數(shù)達(dá)到設(shè)定值時(shí)，不開始后續(xù)的基板的研磨。

19.如權(quán)利要求11所述的研磨方法，其特征在于，所述基板是通過將器件基板與硅基板貼合在一起而制成的SOI基板。

20.如權(quán)利要求19所述的研磨方法，其特征在于，所述異常部位是附著在所述SOI基板的露出面上的異物或所述SOI基板的硅層剝離的部位。