[發明專利]電源電路

在審

• 申請號: 201410323129.6
• 申請日: 2014-07-08
• 公開（公告）號: CN104767378A
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發明（設計）人: 葛西圭;岡田真琴
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155;H02M1/36
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙;胡建新

相關申請

本申請要求以日本專利申請2014－1069號(申請日：2014年1月7日)為基礎申請的優先權。本申請參考該基礎申請并包含該基礎申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種電源電路。

背景技術

例如，升壓型DC－DC轉換器具有軟起動電路，所述軟起動電路為了抑制起動時的流向輸出電容的沖擊電流，而使輸出電壓的變化緩慢進行。軟起動電路例如具有向電容器充電的電路，并將電容器的充電電壓作為軟起動電壓而輸出。

但是，在升壓型DC－DC轉換器中存在下述問題，由于經由高邊(high?side)側輸出開關的漏極－源極之間的寄生二極管，使輸出電壓Vout產生了偏壓，因此，不成為軟起動。

發明內容

本發明所要解決的問題在于，提供一種既能夠抑制電路規模的增大，又能夠抑制起動時的沖擊電流的電源電路。

實施方式的電源電路具備第一開關、第二開關、基準電壓生成部、軟起動電壓生成部、反饋電壓生成部、第一誤差放大器以及第二誤差放大器。第一開關與輸入電源相連接。第二開關與所述第一開關相連接。基準電壓生成部生成基準電壓。軟起動電壓生成部根據起動信號的輸入而生成軟起動電壓。反饋電壓生成部生成將輸出電壓分壓所得的反饋電壓。第一誤差放大器輸入所述基準電壓、在所述軟起動電壓中加上第一偏移電壓而成的第二軟起動電壓以及所述反饋電壓，并將所述第二軟起動電壓和所述基準電壓中的較低的一方的電壓與所述反饋電壓之差進行放大，來控制所述第一開關的導通。第二誤差放大器輸入在所述軟起動電壓中加上第二偏移電壓而成的第三軟起動電壓以及所述反饋電壓，并將所述第三軟起動電壓與所述反饋電壓之差進行放大，來控制所述第二開關的導通。

附圖說明

圖1是示出第一實施方式的電源電路的結構的例子的電路圖。

圖2是示出軟起動電壓生成部的輸出例的波形圖。

圖3(a)和圖3(b)是示出誤差放大器的偏移控制的例子的波形圖。

圖4是示出第一實施方式的電源電路的動作的例子的波形圖。

圖5是示出第二實施方式的電源電路的結構的例子的電路圖。

圖6是示出過電流保護電路的結構的例子的電路圖。

圖7是示出過電流保護電路的動作的例子的波形圖。

具體實施方式

以下，參照附圖，對本發明的實施方式進行說明。再有，在圖中同一或者相當的部分上標注同一附圖標記，并不重復進行其說明。

(第一實施方式)

圖1是示出第一實施方式的電源電路的結構的例子的電路圖。本實施方式的電源電路在輸入端子SW上連接與輸入電源VIN相連接的電感器L1，在輸出端子OUT上連接輸出電容器Cout，該電源電路作為升壓型DC－DC轉換器進行動作。

本實施方式的電源電路具備：PMOS晶體管M1和NMOS晶體管M2，連接在輸入端子SW上；PMOS晶體管M3，連接在PMOS晶體管M1和輸出端子OUT之間；基準電壓生成部1，生成基準電壓VREF；軟起動電壓生成部2，根據起動信號EN的輸入，生成電壓逐漸上升并達到高于基準電壓VREF的電壓的軟起動電壓Vss；反饋電壓生成部3，生成將輸出電壓Vout分壓所得的反饋電壓VFB；誤差放大器4，輸入基準電壓VREF、在軟起動電壓Vss中加上了偏移電壓Vos1的軟起動電壓Vs1以及反饋電壓VFB；誤差放大器5，輸入在軟起動電壓Vss中加上了偏移電壓(offset?voltage)Vos2的軟起動電壓Vs2以及反饋電壓VFB；偏移控制部6，控制偏移電壓Vos1的輸出；偏移控制部7，控制偏移電壓Vos2的輸出。

在此，PMOS晶體管M1是輸出開關，NMOS晶體管M2是連接在輸入端子SW和接地端子之間的低邊開關。

另外，PMOS晶體管M3是防止在負荷短路時向PMOS晶體管M1流入過電流的負荷開關。

PMOS晶體管M1和PMOS晶體管M3的連接點連接在輸出端子OT1上。在輸出端子OT1上連接有電容器Cot1。

基準電壓生成部1例如基于硅(Si)的帶隙，生成恒壓的基準電壓VREF。

軟起動電壓生成部2例如具有軟起動設定用電容器Css和電流源Iss。當輸入起動信號EN時，開始從電流源Iss向軟起動設定用電容器Css施加充電電流。從而，軟起動設定用電容器Css的充電電壓逐漸上升。該充電電壓被作為軟起動電壓Vss而輸出。

圖2中示出從軟起動電壓生成部2輸出的軟起動電壓Vss的變化的情況。