[發(fā)明專利]存取快閃存儲器中儲存單元的方法以及使用該方法的裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410322795.8
• 申請日: 2014-07-08
• 公開（公告）號: CN104425020A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈揚(yáng)智
• 申請（專利權(quán)）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G06F3/06
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 徐潔晶

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)連于一種快閃存儲器裝置，特別是一種存取快閃存儲器中儲存單元的方法以及使用該方法的裝置。

背景技術(shù)

快閃存儲器(flash?memory)中的存儲單元(memory?cells)可能于多次的存取后失效。此外，亦可能于生產(chǎn)過程中，會因?yàn)榉蹓m或是光罩問題，使得儲存單元中的一整列(column)的數(shù)據(jù)都無法正確存取。因此，本發(fā)明提出一種存取快閃存儲單元的方法以及使用該方法的裝置，用以保護(hù)快閃存儲器中儲存的數(shù)據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例提出一種存取快閃存儲器中儲存單元的方法，由處理單元執(zhí)行，包含下列步驟。指示儲存單元存取接口寫入第n條字符線的數(shù)據(jù)至儲存單元。于儲存單元完成寫入第n條字符線的數(shù)據(jù)后，指示儲存單元存取接口寫入第n-1條字符線的數(shù)據(jù)至儲存單元。于儲存單元完成寫入第n-1條字符線的數(shù)據(jù)后，指示儲存單元存取接口寫入第n-2條字符線的數(shù)據(jù)至儲存單元。其中，n大于2的整數(shù)。

本發(fā)明的實(shí)施例提出一種存取快閃存儲器中的儲存單元的裝置，包含儲存單元、儲存單元存取接口以及處理單元。儲存單元存取接口耦接于上述儲存單元，而處理單元耦接于儲存單元存取接口。處理單元指示儲存單元存取接口寫入第n條字符線的數(shù)據(jù)至儲存單元。處理單元于儲存單元完成寫入第n條字符線的數(shù)據(jù)后，指示儲存單元存取接口寫入第n-1條字符線的數(shù)據(jù)至儲存單元。處理單元于儲存單元完成寫入第n-1條字符線的數(shù)據(jù)后，指示儲存單元存取接口寫入第n-2條字符線的數(shù)據(jù)至儲存單元。其中，n大于2的整數(shù)。

本發(fā)明的實(shí)施例另提出一種存取快閃存儲器中儲存單元的方法，由處理單元執(zhí)行，包含下列步驟。通過處理單元存取接口接收到由電子裝置發(fā)出的讀取命令及讀取地址后，判斷關(guān)聯(lián)于讀取地址的值是否尚未穩(wěn)定地儲存于儲存單元中。若是，指示存儲器存取控制器從態(tài)隨機(jī)存取存儲器讀取請求的值，并且通過處理單元存取接口回復(fù)給電子裝置。

附圖說明

圖1是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的快閃存儲器中的儲存單元示意圖。

圖2是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的快閃存儲器的系統(tǒng)架構(gòu)示意圖。

圖3是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的快閃存儲器的存取接口示意圖。

圖4是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的邏輯數(shù)據(jù)儲存示意圖。

圖5A是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例應(yīng)用于每一區(qū)段的數(shù)據(jù)儲存示意圖。

圖5B是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的二維錯(cuò)誤修正碼示意圖。

圖6是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用以執(zhí)行寫入作業(yè)的系統(tǒng)方塊圖。

圖7A及圖7B是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的執(zhí)行于處理單元中的數(shù)據(jù)寫入方法流程圖。

圖8是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的執(zhí)行于儲存單元存取接口中的數(shù)據(jù)寫入方法流程圖。

圖9是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用以執(zhí)行讀取作業(yè)的系統(tǒng)方塊圖。

圖10是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的執(zhí)行于區(qū)段解碼單元中的數(shù)據(jù)讀取方法流程圖。

圖11是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的執(zhí)行于處理單元中的數(shù)據(jù)讀取方法流程圖。

圖12是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用以執(zhí)行寫入作業(yè)的系統(tǒng)方塊圖。

圖13是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)儲存單元中的三層式單元區(qū)塊的示意圖。

圖14是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的執(zhí)行于處理單元中的寫入方法流程圖。

圖15是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的執(zhí)行于處理單元中的寫入方法流程圖。

圖16A是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的眾多單層式單元的臨界電壓分布示意圖。

圖16B是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的眾多多層式單元的臨界電壓分布示意圖。

圖16C是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的眾多三層式單元的臨界電壓分布示意圖。

圖17A至圖17C是顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)三次寫入操作后的一個(gè)字符線上的眾多單層式單元的臨界電壓分布示意圖。

圖18A是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使用RS(48,45)垂直錯(cuò)誤修正碼的獨(dú)立磁盤冗余陣列群組的數(shù)據(jù)擺放示意圖。

圖18B是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使用RS(96,93)垂直錯(cuò)誤修正碼的獨(dú)立磁盤冗余陣列群組的數(shù)據(jù)擺放示意圖。

圖19A至圖19B是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)據(jù)寫入時(shí)序圖。

圖20A至圖20D是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的執(zhí)行于處理單元中的寫入數(shù)據(jù)方法流程圖。

圖21是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的字符線寫入順序示意圖。

【附圖標(biāo)記說明】

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