[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201410322611.8
• 申請日: 2014-07-08
• 公開（公告）號: CN104282733B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 神田良;戶田鐵;中原寧;嘉屋旨哲
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/40
• 代理公司: 11038 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 陳華成<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種半導體器件，包括：

基板；

第一電路區域，形成在所述基板上，在該第一電路區域中形成有電源電位為第一電壓的第一電路；

分離區域，包圍所述第一電路區域；

第二電路區域，形成在所述基板上，并且在平面圖中位于所述分離區域的外側，在該第二電路區域中形成有電源電位為比所述第一電壓低的第二電壓的第二電路；以及

耦合晶體管，位于所述分離區域中，將所述第二電路耦合到所述第一電路，并且具有第一導電類型的源極和漏極，

其中，所述分離區域包括：

元件分離膜，形成在所述基板上；

場板電極，在平面圖中與所述元件分離膜重疊，并且以折疊方式或以螺旋形狀在沿著所述第一電路區域的邊緣的方向上重復地設置；

第二導電類型區域，設置在所述基板上，在平面圖中與所述元件分離膜重疊，并且位于所述耦合晶體管的周圍；以及

第一導電區域，通過第二導電類型區域而位于所述耦合晶體管的與所述源極或所述漏極相反的一側，

其中，所述場板電極的一部分和所述第二導電類型區域的一部分重疊，并且

其中，所述場板電極在相對它在所述分離區域的寬度方向上的中央而位于所述第一電路區域側的部分，電耦合到所述耦合晶體管的漏電極，并且在相對所述中央而位于第二電路區域側的部分處，耦合到地電位或所述第二電路。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述場板電極在其最里邊的外緣中電耦合到所述耦合晶體管的漏電極。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述第二電路的電源電位或地電位被施加到所述場板電極的最外邊的外緣。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，多個耦合晶體管沿著所述第一電路區域彼此間隔開，

其中，所述場板電極針對所述多個耦合晶體管中的每一個而設置，以及

其中，所述第一電路區域由多個場板電極包圍。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述場板電極中的兩個在其最外邊的外緣中彼此耦合。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述場板電極在平面圖中重復地穿過所述第二導電類型區域。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述第一電路區域的邊緣和所述場板電極的最里邊的外緣之間的間隔大于所述場板電極的最里邊的外緣和第二靠里邊的外緣之間的間隔。