[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410322525.7
• 申請(qǐng)日: 2014-07-08
• 公開（公告）號(hào): CN105244311B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張先明;何作鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/538
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成硅通孔；

在所述硅通孔中依次形成絕緣層、粘連層和銅導(dǎo)電層；

對(duì)所述銅導(dǎo)電層實(shí)施預(yù)處理，以釋放所述銅導(dǎo)電層內(nèi)部的應(yīng)力并使晶粒充分長(zhǎng)大；

執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨直至露出所述硅通孔的頂部，

所述預(yù)處理包括依次實(shí)施的兩步退火處理，第一步退火處理為僅對(duì)所述銅導(dǎo)電層自身實(shí)施的激光熱退火，以使所述銅導(dǎo)電層的晶粒充分長(zhǎng)大，避免在后續(xù)實(shí)施第二步退火處理時(shí)所述銅導(dǎo)電層發(fā)生凸起現(xiàn)象。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第二步退火處理為優(yōu)化的爐內(nèi)退火，以充分釋放所述銅導(dǎo)電層內(nèi)部的應(yīng)力，避免發(fā)生層離現(xiàn)象。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述激光熱退火的激光束能量大于0.5J/cm²，紫外波長(zhǎng)為200nm-350nm，所述銅導(dǎo)電層內(nèi)部的溫度大于500℃，處理時(shí)間小于1微秒。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述爐內(nèi)退火的升降溫速率小于3℃/min，在300℃下持續(xù)1小時(shí)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述硅通孔的步驟包括：在所述半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層；通過曝光、顯影在所述光刻膠層中形成所述硅通孔的頂部開口的圖案；以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，蝕刻所述半導(dǎo)體襯底以在其中形成所述硅通孔；通過灰化去除所述光刻膠層。

6.一種采用權(quán)利要求1-5之一所述的方法制造的半導(dǎo)體器件。

7.一種電子裝置，所述電子裝置包括權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件。