[發(fā)明專利]交流式覆晶發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410322015.X
• 申請日: 2009-04-07
• 公開（公告）號(hào): CN104103634A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮輝慶;黃國欽;潘錫明;朱胤丞
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波璨圓光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075;H01L33/00;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

本發(fā)明為原申請?zhí)?00910057038.1號(hào)專利申請的分案申請，該原申請的申請日為：2009年4月7日，發(fā)明名稱為：交流式覆晶發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于一種交流式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，尤其指一種交流式覆晶發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

光電產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，光源之一的發(fā)光二極管(Light?Emitting?Diode；LED)由于具有省電的特點(diǎn)，已大量廣泛地應(yīng)用于各種照明或需光源的領(lǐng)域，在光電領(lǐng)域中占有舉足輕重的地位，正因如此，世界各國廠商莫不投入大量資源于相關(guān)技術(shù)的開發(fā)，在2005舉辦的的韓國漢城半導(dǎo)體和美國III-N?Technology的產(chǎn)品發(fā)表會(huì)更說明了交流式發(fā)光二極管(AC?LED)產(chǎn)品的發(fā)展趨勢，交流式發(fā)光二極管產(chǎn)品已成為全球性廠商的開發(fā)趨勢。

從交流式發(fā)光二極管的技術(shù)發(fā)展至今，橋式交流式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)改善早期交流式發(fā)光二極管，解決其無法在交流電正負(fù)半周訊號(hào)輸入時(shí)皆可發(fā)光(全時(shí)發(fā)光)的問題，其主要利用惠斯登電橋(Wheatstone?Bridge)的設(shè)計(jì)概念，使交流式發(fā)光二極管在交流電正負(fù)半周訊號(hào)輸入時(shí)的每一瞬間僅有總數(shù)1/2的交流電的發(fā)光現(xiàn)象得以改善。

然而，橋式交流式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中的整流組件直接使用交流式發(fā)光二極管，導(dǎo)致其具有兩個(gè)主要缺點(diǎn)，其一，由于單一整流組件(單一顆交流電發(fā)光微晶粒)逆向偏壓承受力不佳，故所使用的整流組件的數(shù)量無法減少，亦即，必需借由多顆交流電發(fā)光微晶粒串聯(lián)于惠斯登電橋的一臂上，才可承受由交流電所施加的逆向偏壓，以市電110V來說，由交流電訊號(hào)所施加的逆向偏壓峰值約為156V(110×√2)，因此，交流電訊號(hào)正或負(fù)半波所流經(jīng)路徑的交流電發(fā)光微晶粒共需約20顆，以平均承擔(dān)逆偏，避免被逆偏擊穿的風(fēng)險(xiǎn)，故，整流組件總數(shù)約需要20顆×2=40顆(交流電訊號(hào)正及負(fù)半波所流經(jīng)路徑之交流式發(fā)光二極管)，而被用于發(fā)光的交流式發(fā)光二極管數(shù)量則被壓抑至110V/3.1V(每顆交流式發(fā)光二極管之致動(dòng)電壓)-20(用以整流之交流式發(fā)光二極管數(shù)量)=15顆，由此可知，會(huì)產(chǎn)生被用于整流的交流式發(fā)光二極管的數(shù)量遠(yuǎn)大于被用于發(fā)光的交流式發(fā)光二極管三數(shù)量的情況，且由于整流和發(fā)光組件(交流式發(fā)光二極管)兩者所耗損的能量相同，故會(huì)使得輸入功率浪費(fèi)在整流組件的比例居高不下，而產(chǎn)生整體效率不佳的情況；其二，雖相較于早期交流式發(fā)光二極管的設(shè)計(jì)，其發(fā)光面積已有增加，但仍有為數(shù)不少的整流組件由于逆偏時(shí)不會(huì)發(fā)光而造成整體發(fā)光面積的浪費(fèi)。

再者，請參閱中國臺(tái)灣專利申請第TWI297200號(hào)所申請的一種交流發(fā)光體以及交流發(fā)光裝置，尤指一種利用具有高逆向崩潰電壓以及低正向開啟電壓特性之整流組件進(jìn)行整流的交流發(fā)光體以及交流發(fā)光裝置，請參閱圖1所示，在基板上的整體面積的發(fā)光面積并不等于基板面積，由于此專利的設(shè)計(jì)，造成基板上必須有一固定區(qū)域以設(shè)置整流電路，故，造成發(fā)光面積縮小。

綜上所述，交流式發(fā)光二極管的主要設(shè)計(jì)為光源的使用，如何提高其發(fā)光效率為一主要課題，而交流式發(fā)光二極管的使用在人類家庭式使用較為廣泛，故解決上述問題實(shí)為一最大的課題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種交流式覆晶發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)使發(fā)光二極管基板上的發(fā)光面積等于基板面積，提高了發(fā)光效率。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種交流式覆晶發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括：

基板，所述基板上相隔設(shè)置第一二極管、第二二極管、第三二極管、第四二極管；

第一發(fā)光二極管芯片，電性連接并至少部分設(shè)置于所述第一二極管和所述第二二極管上；以及

第二發(fā)光二極管芯片，與所述第一發(fā)光二極管芯片電性連接，且所述第二發(fā)光二極管芯片電性連接并至少部分設(shè)置于所述所述第三二極管和所述第四二極管上；

其中，所述第一二極管、第二二極管、第三二極管和第四二極管構(gòu)成整流電路的至少一部分，使所述覆晶發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)適用于交流電環(huán)境。

本發(fā)明提供的一種交流式覆晶發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，在基板上嵌設(shè)復(fù)數(shù)個(gè)二極管以作為整流之用，并在該二極管上設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)覆晶式發(fā)光二極管，使所述基板的面積可被在其上的覆晶式發(fā)光二極管完全使用，，使基板上的發(fā)光面積等于該基板的面積，以提高發(fā)光效率。

附圖說明

下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明：

圖1是公知技術(shù)的AC（交流式）發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；