[發明專利]AMOLED結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201410321194.5
• 申請日: 2014-07-07
• 公開（公告）號: CN104091896A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 左文霞;高印;柯其勇
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司 31229
• 代理人: 曾耀先

1.一種AMOLED結構，其特征在于，包括TFT電路層、設于所述TFT電路層之上的像素層、設于所述像素層之上的OLED層；所述像素層包括第一像素層、以及第二像素層；所述第一像素層設于所述TFT電路層之上，并于兩側形成有第一斜坡面；所述第二像素層設于所述第一像素層之上，并于兩側形成有第二斜坡面；所述OLED層包覆于所述TFT電路層、所述第一像素層以及所述第二像素層。

2.如權利要求1所述的AMOLED結構，其特征在于，所述第二像素層內還設有空間層。

3.如權利要求2所述的AMOLED結構，其特征在于，所述第二像素層形成的第二斜坡面包括第一斜面、連接平面、以及第二斜面，所述第一斜面和第二斜面與所述連接平面形成階梯式斜坡面。

4.如權利要求1所述的AMOLED結構，其特征在于，所述第一斜坡面和所述第二斜坡面與所述第一像素層的頂面形成有階梯式斜坡面。

5.一種AMOLED結構的制作方法，其特征在于，包括：

于TFT電路層之上制備第一像素層，所述第一像素層的側部形成第一斜坡面；

于所述第一像素層之上制備第二像素層，將所述第二像素層的兩側部形成第二斜坡面；

于所述第二像素層之上制備包覆TFT電路層、所述第一像素層、以及所述第二像素層的OLED層。

6.如權利要求5所述的AMOLED結構的制作方法，其特征在于，制備第二像素層之前先于所述第一像素層之上設置空間層，然后制備包覆于所述空間層的第二像素層。

7.如權利要求6所述的AMOLED結構的制作方法，其特征在于，在制備所述第二像素層時，將所述第二像素層的兩側部制成包含多個斜面的階梯式斜坡面。