[發明專利]焊墊的處理方法在審
| 申請號： | 201410321003.5 | 申請日： | 2014-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN105448645A | 公開（公告）日： | 2016-03-30 |
| 發明（設計）人： | 陳彧;閻實 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 方法 | ||
1.一種焊墊的處理方法，包括：
提供前端結構，所述前端結構包括有經初步處理的焊墊；
對所述焊墊進行疏水處理；
對所述焊墊進行退火處理；以及
對所述焊墊完成清潔處理。
2.如權利要求1所述的焊墊的處理方法，其特征在于，所述疏水處理為在所述焊墊上涂敷一層疏水物質。
3.如權利要求2所述的焊墊的處理方法，其特征在于，所述疏水物質含有甲基。
4.如權利要求3所述的焊墊的處理方法，其特征在于，所述疏水物質為HMDS。
5.如權利要求4所述的焊墊的處理方法，其特征在于，在160℃～200℃、充滿氣態HMDS的環境下，將所述焊墊置于該環境中進行疏水處理。
6.如權利要求5所述的焊墊的處理方法，其特征在于，所述焊墊置于氣態HMDS的環境中持續100秒～180秒。
7.如權利要求1所述的焊墊的處理方法的形成方法，其特征在于，所述退火處理在氮氣氛圍下進行，退火的溫度范圍是180℃～200℃，持續2～2.5小時。
8.如權利要求1所述的焊墊的處理方法的形成方法，其特征在于，所述初步處理為在一頂層金屬上形成鈍化層，并刻蝕所述鈍化層形成開口，所述開口暴露出部分所述頂層金屬，以暴露出的所述頂層金屬作為焊墊。
9.如權利要求1所述的焊墊的處理方法的形成方法，其特征在于，所述對所述焊墊完成清潔處理包括：
對所述焊墊進行灰化處理；
對所述焊墊進行濕法清洗；以及
對所述焊墊進行合金工藝。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
