[發(fā)明專利]LED芯片及提高LED芯片出光效率的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410320016.0
• 申請(qǐng)日: 2014-07-07
• 公開（公告）號(hào): CN105280769B
• 公開（公告）日: 2018-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁秉文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
• 主分類號(hào): H01L33/10
• 分類號(hào): H01L33/10
• 代理公司: 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)32256
• 代理人: 王鋒

1.一種LED芯片，其特征在于，包括透明襯底以及形成于所述透明襯底上的外延層，所述外延層包括依次形成于所述透明襯底上的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層，所述透明襯底的下表面與發(fā)光層之間形成有光反射結(jié)構(gòu)，所述光反射結(jié)構(gòu)包括形成于所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)部的多個(gè)光點(diǎn)，所述光點(diǎn)為一空腔，所述第一半導(dǎo)體層為GaN層，位于所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)部的空腔內(nèi)還形成有Ga金屬顆粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述光反射結(jié)構(gòu)還包括形成于所述透明襯底內(nèi)部的多個(gè)光點(diǎn)，所述光點(diǎn)為一空腔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)部的光點(diǎn)的寬度大于LED芯片的發(fā)光波長。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述透明襯底內(nèi)部的光點(diǎn)的寬度大于LED芯片的發(fā)光波長。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的LED芯片，其特征在于：所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)部和透明襯底內(nèi)部的光點(diǎn)的寬度為1～5μm，所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)部和透明襯底內(nèi)部的相鄰光點(diǎn)之間的間隔為0.1～2μm。

6.一種提高LED芯片出光效率的方法，其特征在于，包括步驟：

s1、在透明襯底上依次制作第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層為GaN層；

s2、通過透明襯底一側(cè)，通過激光聚焦的方法在第一半導(dǎo)體層上形成光反射結(jié)構(gòu)，該光反射結(jié)構(gòu)為多個(gè)空腔以及位于所述多個(gè)空腔內(nèi)的Ga金屬顆粒。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的提高LED芯片出光效率的方法，其特征在于：所述透明襯底為藍(lán)寶石襯底、ZnO襯底、碳化硅襯底、GaN襯底或透明玻璃。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的提高LED芯片出光效率的方法，其特征在于步驟S2還包括在透明襯底內(nèi)部形成光反射結(jié)構(gòu)。