[發(fā)明專利]一種真空低溫濕法刻蝕方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410319809.0
• 申請(qǐng)日: 2014-07-07
• 公開（公告）號(hào): CN105280519A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘭育輝;陳宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 張家港市超聲電氣有限公司;蘭育輝;陳宏
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/30
• 代理公司: 南京鐘山專利代理有限公司 32252
• 代理人: 田媛;靳靜

1.一種真空低溫濕法刻蝕方法,其特征是：該方法包括真空芯片表面形態(tài)預(yù)處理工藝、真空芯片表面溶劑浸透預(yù)處理工藝、真空低溫化學(xué)濕法刻蝕工藝。

2.權(quán)利要求1所述的真空低溫濕法刻蝕方法，其特征是：所述的表面形態(tài)預(yù)處理工藝、浸透預(yù)處理工藝、刻蝕工藝是均在預(yù)真空度<1.0x10E-2Pa條件下完成。

3.權(quán)利要求1所述的真空低溫濕法刻蝕方法,其特征是：所述的表面形態(tài)預(yù)處理工藝、浸透預(yù)處理工藝、刻蝕工藝是在溫度范圍從-10度至30度條件下完成。

4.權(quán)利要求1或2所述的真空低溫濕法刻蝕方法,其特征是：所述的真空芯片表面形態(tài)預(yù)處理用可調(diào)紅外和UV光波下的氧離子方法來(lái)完成。

5.權(quán)利要求1或3所述的真空低溫濕法刻蝕方法,其特征是：所述的真空芯片表面溶劑浸透預(yù)處理用超聲波分布式微霧化方法來(lái)完成。

6.權(quán)利要求1或3所述的真空低溫濕法刻蝕方法,其特征是：所述的真空低溫化學(xué)濕法刻蝕方法用可調(diào)恒壓立體分布方法噴射刻蝕液來(lái)完成。

7.權(quán)利要求1或6所述的真空低溫濕法刻蝕方法,其特征是：所述的真空低溫化學(xué)濕法刻蝕適用于對(duì)InP基板上的組合外延層：(InGaAsP/InP,AlGaInAs/InP)(InGaAsP/InP,InGaAsP/InP/AlInAs)(InGaAs/InP,AlGaInAs/InP)(InGaAsP/InP,AlGaInAs/InP,InGaAsP/InP/AlInAs)復(fù)合層及SiO2、SiN4層進(jìn)行刻蝕，厚度從20nm至10um之間的單層或多層組合的材料。

8.權(quán)利要求1所述的真空低溫濕法刻蝕方法,其特征是：所述的真空低溫化學(xué)濕法刻蝕適用于含多濃度的化學(xué)復(fù)配原料所組成BOE:H2O水溶液、H2SO4:H2O2:H2O和Br溶于甲醇配制的百分含量的刻蝕液或(H2O:HBr:Br):H2O體積比的混合液。

9.權(quán)利要求7或8所述的真空低溫濕法刻蝕方法,其特征是：所述的真空低溫化學(xué)濕法刻蝕適用于使用多種濃度的化學(xué)復(fù)配原料所組成的刻蝕液按程序分別刻蝕對(duì)應(yīng)的外延膜層，一步完成多層不同膜的刻蝕。

10.權(quán)利要求1所述的真空低溫濕法刻蝕方法,其特征是：所述的方法適用于半導(dǎo)體激光二極管(LD)及光電二極管(PD)和發(fā)光二極管（LED）芯片濕法刻蝕制造領(lǐng)域。