[發明專利]半導體光電元件及其制作方法有效
| 申請號： | 201410319735.0 | 申請日： | 2010-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN104091862B | 公開（公告）日： | 2017-06-23 |
| 發明（設計）人： | 王心盈;陳怡名;徐子杰;陳吉興;張湘苓 | 申請（專利權）人： | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 光電 元件 及其 制作方法 | ||
1.一種半導體光電元件的制作方法，包括：
提供一第一基板；
形成一犧牲層于該第一基板上；
形成一半導體外延疊層于該犧牲層上；
分隔該半導體外延疊層和該犧牲層為多個半導體外延疊層單元和多個犧牲層，且該多個半導體外延疊層單元與該多個犧牲層一一對應；
形成一圖案化層，覆蓋于該多個半導體外延疊層單元上，對于無需轉移的該半導體外延疊層單元，以完全覆蓋的方式包覆其下裸露的犧牲層的側壁，對于需要轉移的該半導體外延疊層單元，以部分覆蓋的方式包覆其表面并裸露出其下的犧牲層的側壁；
移除該需要轉移的半導體外延疊層單元下方的該犧牲層；
以及
轉移該需要轉移的半導體外延疊層單元至一第二基板上。
2.如權利要求1所述的制作方法，其中在轉移該需要轉移的半導體外延疊層單元至該第二基板的步驟后，該無需轉移的半導體外延疊層單元留于該第一基板上。
3.如權利要求1所述的制作方法，其中在轉移該需要轉移的半導體外延疊層單元至該第二基板的步驟后，去除附著于該需要轉移的半導體外延疊層單元的該圖案化層。
4.如權利要求1所述的制作方法，其中該圖案化層包含光阻材料。
5.如權利要求1所述的制作方法，其中該第二基板具有突起相對應于該需要轉移的半導體外延疊層單元。
6.如權利要求1所述的制作方法，還包括形成多個第一電極電性連結于該多個半導體外延疊層單元。
7.如權利要求6所述的制作方法，其中該多個半導體外延疊層單元與該多個第一電極隔開一距離。
8.如權利要求1所述的制作方法，還包括形成一粘著層接合該第二基板與該需要轉移的半導體外延疊層單元。
9.如權利要求1所述的制作方法，還包括二次轉移該需要轉移的半導體外延疊層單元至一第三基板上。
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