[發(fā)明專利]垂直型LED的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410318634.1
• 申請日: 2014-07-04
• 公開（公告）號: CN104064642B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張宇;童玲;張瓊;呂孟巖;張楠
• 申請（專利權(quán)）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種垂直型LED的制作方法，包括步驟：

提供生長襯底，在所述生長襯底上形成有外延層，所述外延層包括未摻雜層；

在所述外延層表面依次形成金屬電極和鍵合襯底；

剝離所述生長襯底，暴露出所述未摻雜層；

刻蝕所述未摻雜層，保留部分未摻雜層作為電流阻擋層；

形成N電極，所述N電極覆蓋所述保留的未摻雜層，并且與所述外延層形成歐姆接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述外延層包括P-GaN、量子阱和N-GaN，所述P-GaN與所述金屬電極相連，所述N-GaN與所述未摻雜層相連，所述量子阱形成于所述P-GaN和N-GaN之間。

3.如權(quán)利要求2所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，在刻蝕所述未摻雜層之后，形成N電極之前，對所述N-GaN表面進(jìn)行粗化處理。

4.如權(quán)利要求3所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述粗化處理采用濕法刻蝕處理，使用的溶液為KOH或H₂SO₄。

5.如權(quán)利要求2所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述金屬電極依次包括電流擴(kuò)展層、反射鏡以及金屬鍵合層，所述電流擴(kuò)展層與所述P-GaN相連，所述反射鏡位于所述電流擴(kuò)展層和金屬鍵合層之間。

6.如權(quán)利要求5所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述電流擴(kuò)展層的材質(zhì)為ITO、ZnO或AZO。

7.如權(quán)利要求5所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述反射鏡的材質(zhì)為Al或Ag。

8.如權(quán)利要求5所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述金屬鍵合層的材質(zhì)為Au-Au或Au-Sn。

9.如權(quán)利要求1所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述電流阻擋層的厚度范圍是100nm～1000nm。

10.如權(quán)利要求1所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述電流阻擋層的尺寸比所述N電極的尺寸小5μm～10μm。

11.如權(quán)利要求1所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述N電極的材質(zhì)為Ni、Au、Al、Ti、Pt、Cr、Ni/Au合金、Al/Ti/Pt/Au合金或Cr/Pt/Au合金。

12.如權(quán)利要求1所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述鍵合襯底的材質(zhì)為Si、WCu或MoCu。