[發明專利]生長在W襯底上的AlN薄膜及其制備方法、應用在審
| 申請號： | 201410318610.6 | 申請日： | 2014-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN104143596A | 公開（公告）日： | 2014-11-12 |
| 發明（設計）人： | 李國強;劉作蓮;王文樑;楊為家;林云昊;周仕忠;錢慧榮 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 陳文姬 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長 襯底 aln 薄膜 及其 制備 方法 應用 | ||
1.生長在W襯底上的AlN薄膜，其特征在于，包括由下至上依次排列的W襯底和AlN薄膜，所述AlN薄膜為在400～500℃下生長的AlN薄膜。
2.根據權利要求1所述的AlN薄膜，其特征在于，所述W襯底以(110)面為外延面。
3.根據權利要求1所述的AlN薄膜，其特征在于，所述AlN薄膜的厚度為250～300nm。
4.生長在W襯底上的AlN薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)襯底以及其晶向的選取：采用W襯底的(110)面為外延面，晶體外延取向關系：AlN[11-20]//W[001]；
(2)AlN薄膜外延生長：襯底溫度為400～500℃，反應室壓力為1～3×10-5Torr、Ⅴ/Ⅲ比為50～60、生長速度為0.4～0.6ML/s，襯底溫度降至400～500℃，反應室壓力為1～3×10-5Torr、Ⅴ/Ⅲ比為50～60、生長速度為0.4～0.6ML/s；用KrF準分子激光PLD燒蝕AlN靶材，在W襯底上外延生長AlN薄膜；在W襯底上外延生長AlN薄膜。
5.根據權利要求4所述的生長在W襯底上的AlN薄膜的制備方法，其特征在于，所述AlN薄膜的厚度250～300nm。
6.根據權利要求4所述的生長在W襯底上的AlN薄膜的制備方法，其特征在于，所述KrF準分子激光PLD的能量為1.3J/cm2，重復頻率為30Hz，波長為248nm。
7.權利要求1所述生長在W襯底上的AlN薄膜的應用，其特征在于，用于制備LED、光電探測器和太陽能電池。
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