[發(fā)明專利]一種低溫制備導(dǎo)電Si3N4-ZrB2復(fù)相陶瓷的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410317307.4 | 申請日: | 2014-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN104355626A | 公開(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭偉明;古尚賢;蔣強國;熊明;游洋;伍尚華 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | C04B35/584 | 分類號: | C04B35/584;C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人: | 林麗明 |
| 地址: | 510006 廣東省廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 低溫 制備 導(dǎo)電 si sub zrb 陶瓷 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及非氧化物基陶瓷材料領(lǐng)域,具體公開了一種在避免Si3N4和ZrB2反應(yīng)的前提下,低溫制備導(dǎo)電Si3N4-ZrB2復(fù)相陶瓷的方法。?
背景技術(shù)
Si3N4陶瓷具有耐磨、耐蝕、耐高溫、抗氧化性、抗熱沖擊及低比重等優(yōu)異性能,使其具備廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,也被認(rèn)為是非常優(yōu)異的高溫結(jié)構(gòu)材料。Si3N4陶瓷作為制造電子元器件、機械及其零部件的新材料,早已在進入實用階段,廣泛應(yīng)用于機械、冶金、化工、航天航空、及汽車工業(yè)中的耐高溫、抗氧化性及耐磨損場合,如渦輪葉片、渦輪增壓器、陶瓷軸承及金屬切削刀具等。然而,Si3N4陶瓷屬高硬度和高脆性材料,目前較多采用的金剛石砂輪磨削方法只能用于簡單型面加工,而且切削力大、消耗能量多、加工成本高、效率低。Si3N4陶瓷的難加工特性極大制約了其廣泛應(yīng)用。?
通過向Si3N4陶瓷加入第二導(dǎo)電相顆粒(如TiN、TiC、TiB2、MoSi2等)形成導(dǎo)電Si3N4基復(fù)相陶瓷,提高其導(dǎo)電性能,進行電火花加工,是實現(xiàn)低成本、大批量加工Si3N4陶瓷最常用手段。作為超高溫陶瓷家族(熔點超過3000℃)中的一員,ZrB2陶瓷具有高熔點、高電導(dǎo)、高熱導(dǎo)及優(yōu)異的力學(xué)性能。將ZrB2作為導(dǎo)電相加入到Si3N4,可以改善其導(dǎo)電性能、加工性能以及耐高溫性能等。然而在1550℃以上,ZrB2與Si3N4會發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成ZrN、ZrSi2、BN等新相:?
2Si3N4+9ZrB2+8N2=6ZrN+3ZrSi2+18BN?
因此,實現(xiàn)Si3N4-ZrB2低溫?zé)Y(jié)致密化,是避免ZrB2與Si3N4之間化學(xué)反應(yīng),制備具有優(yōu)異性能的導(dǎo)電Si3N4-ZrB2復(fù)相陶瓷的前提。?
現(xiàn)在已有的文獻報道或專利中涉及了以ZrB2為基體、以Si3N4為增強相的ZrB2-Si3N4復(fù)相陶瓷,但均直接忽視了ZrB2與Si3N4高溫反應(yīng)的問題,實際上經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后已經(jīng)不是純ZrB2-Si3N4?復(fù)相陶瓷,而是包含了ZrN、ZrSi2、BN等新的化合物。到目前為止,還未出現(xiàn)以ZrB2和Si3N4原料,以MgO-Re2O3(Re2O3為稀土氧化物,其中Re是Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu)作為添加劑,通過熱壓燒結(jié)在低溫下(1550℃以下)成功制備出未發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的導(dǎo)電Si3N4-ZrB2復(fù)合導(dǎo)電陶瓷的報道。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是在避免Si3N4和ZrB2反應(yīng)的前提下,提供一種在低溫下實現(xiàn)導(dǎo)電Si3N4-ZrB2復(fù)相陶瓷燒結(jié)致密的制備方法。?
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