[發明專利]一種寬溫綠光激光器

有效

• 申請號: 201410317232.X
• 申請日: 2014-07-04
• 公開（公告）號: CN104051950B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發明（設計）人: 馬長勤
• 申請（專利權）人: 青島鐳視光電科技有限公司
• 主分類號: H01S3/16
• 分類號: H01S3/16;H01S3/0941;H01S3/109
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙)11316
• 代理人: 滑春生,趙永偉

1.一種綠光激光器，其特征在于，包括沿光路依次排列的泵浦源、聚焦透鏡、自倍頻激光晶體和倍頻晶體，在所述的自倍頻激光晶體和倍頻晶體的通光面鍍有介質膜，自倍頻激光晶體與倍頻晶體的相互接觸面固定在一起。

2.如權利要求1所述的綠光激光器，其特征在于，所述泵浦源為產生808nm激光的半導體激光器。

3.如權利要求1所述的綠光激光器，其特征在于，所述自倍頻激光晶體為圓柱形或者長方體，按通光方向切割。

4.如權利要求1所述的綠光激光器，其特征在于，所述自倍頻激光晶體通光方向長度為0.1~20?mm；優選長度為1~10mm，進一步優選長度為4~8mm。

5.如權利要求1所述的綠光激光器，其特征在于，所述自倍頻激光晶體為Nd:YCOB或?Nd:GdCOB，其釹離子摻雜濃度為0.1~30at%；優選的釹離子摻雜濃度為8~15at%。

6.如權利要求1所述的綠光激光器，其特征在于，所述倍頻晶體為KTP晶體，其切割方向為通光方向，通光方向長度為0.1~10mm；優選長度為2~8mm。

7.如權利要求1所述的綠光激光器，其特征在于，所述聚焦透鏡的焦距長為1~100mm，優選的焦距長為5~30mm。

8.如權利要求1所述的綠光激光器，其特征在于，所述自倍頻激光晶體靠近半導體激光器的通光面鍍以對1060~1090nm、530~545nm高反射的介質膜和對808nm高透射的介質膜,倍頻晶體遠離半導體激光器的通光面鍍以對1060~1090nm高反射的介質膜和對530~545nm高透過的介質膜。

9.如權利要求1所述的綠光激光器，其特征在于，所述的自倍頻激光晶體與倍頻晶體的相互接觸面以紫外固化膠固定在一起，具體操作方法是將紫外光膠均勻覆蓋在膠合面上，將激光晶體與自倍頻激光晶體的膠合面貼合后，用紫外光照射固化。

10.如權利要求1所述的綠光激光器，其特征在于，所述的半導體激光器，放置于聚焦透鏡前面的焦距上，自倍頻激光晶體放置于聚焦透鏡后面的焦距上。