[發(fā)明專利]一種帶收斂缺口的高增益半導(dǎo)體單極化振子有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410316600.9 | 申請(qǐng)日： | 2014-07-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104134849A | 公開（公告）日： | 2014-11-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡潔維 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 胡潔維 |
| 主分類號(hào)： | H01Q1/36 | 分類號(hào)： | H01Q1/36 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 246000*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 收斂 缺口 增益 半導(dǎo)體 極化 | ||
1.一種帶收斂缺口的高增益半導(dǎo)體單極化振子，包括有一支撐巴倫板（1），其特征在于：所述支撐巴倫板（1）上設(shè)有上下對(duì)稱設(shè)置的兩個(gè)、呈正長方形的金屬振子片（3）,用于輻射單極化信號(hào)；所述上下兩個(gè)金屬振子片（3）之間設(shè)有第一饋電帶線（11）,所述支撐巴倫板（1）上設(shè)有第一同軸電纜饋電（11a）孔，所述第一同軸電纜饋電（11a）孔與第一饋電帶線（11）電連接；
所述每個(gè)金屬振子片（3）的邊緣設(shè)有外隔離圈（4），所述每個(gè)金屬振子片（3）上靠近兩側(cè)分別設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)并排設(shè)置的第一隔離阻斷孔（6），所述每個(gè)金屬振子片（3）上的中部還設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)并排設(shè)置的第二隔離阻斷孔（7），第二隔離阻斷孔（7）均為圓形；所述外隔離圈（4）為半導(dǎo)體，所述第一隔離阻斷孔（6）以及第二隔離阻斷孔（7）內(nèi)均填充設(shè)有半導(dǎo)體；
所述每個(gè)金屬振子片（3）遠(yuǎn)離支撐巴倫板（1）的一側(cè)設(shè)有用于整流的整流結(jié)構(gòu)（5），所述整流結(jié)構(gòu)（5）為矩形，所述整流結(jié)構(gòu)（5）包括有復(fù)數(shù)個(gè)并排設(shè)置的整流槽，整流槽之間設(shè)有整流道（51）；所述整流槽內(nèi)也均填充設(shè)有半導(dǎo)體；所述外隔離圈（4）的靠近整流機(jī)構(gòu)的一側(cè)設(shè)有V形的收斂缺口（10）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導(dǎo)體單極化振子，其特征在于：所述第一隔離阻斷孔（6）為平行矩形；所述第一隔離阻斷孔（6）的上下邊的長度均為4mm-7mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導(dǎo)體單極化振子，其特征在于：所述半導(dǎo)體為砷化鎵半導(dǎo)體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導(dǎo)體單極化振子，其特征在于：所述每個(gè)金屬振子片（3）的厚度為2mm-2.5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導(dǎo)體單極化振子，其特征在于：所述第一隔離阻斷孔（6）的數(shù)量為八個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導(dǎo)體單極化振子，其特征在于：所述第二隔離阻斷孔（7）的數(shù)量為五個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導(dǎo)體單極化振子，其特征在于：所述支撐巴倫板（1）為圓形；所述支撐巴倫板（1）為PCB板，其直徑為10cm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導(dǎo)體單極化振子，其特征在于：所述金屬振子片（3）的寬為6cm。
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