[發明專利]一種帶收斂缺口的高增益半導體單極化振子

有效

• 申請號: 201410316600.9
• 申請日: 2014-07-06
• 公開（公告）號: CN104134849A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 胡潔維
• 申請（專利權）人: 胡潔維
• 主分類號: H01Q1/36
• 分類號: H01Q1/36
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種帶收斂缺口的高增益半導體單極化振子，包括有一支撐巴倫板（1），其特征在于：所述支撐巴倫板（1）上設有上下對稱設置的兩個、呈正長方形的金屬振子片（3）,用于輻射單極化信號；所述上下兩個金屬振子片（3）之間設有第一饋電帶線（11）,所述支撐巴倫板（1）上設有第一同軸電纜饋電（11a）孔，所述第一同軸電纜饋電（11a）孔與第一饋電帶線（11）電連接；

所述每個金屬振子片（3）的邊緣設有外隔離圈（4），所述每個金屬振子片（3）上靠近兩側分別設有復數個并排設置的第一隔離阻斷孔（6），所述每個金屬振子片（3）上的中部還設有復數個并排設置的第二隔離阻斷孔（7），第二隔離阻斷孔（7）均為圓形；所述外隔離圈（4）為半導體，所述第一隔離阻斷孔（6）以及第二隔離阻斷孔（7）內均填充設有半導體；

所述每個金屬振子片（3）遠離支撐巴倫板（1）的一側設有用于整流的整流結構（5），所述整流結構（5）為矩形，所述整流結構（5）包括有復數個并排設置的整流槽，整流槽之間設有整流道（51）；所述整流槽內也均填充設有半導體；所述外隔離圈（4）的靠近整流機構的一側設有V形的收斂缺口（10）。

2.根據權利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導體單極化振子，其特征在于：所述第一隔離阻斷孔（6）為平行矩形；所述第一隔離阻斷孔（6）的上下邊的長度均為4mm-7mm。

3.根據權利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導體單極化振子，其特征在于：所述半導體為砷化鎵半導體。

4.根據權利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導體單極化振子，其特征在于：所述每個金屬振子片（3）的厚度為2mm-2.5mm。

5.根據權利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導體單極化振子，其特征在于：所述第一隔離阻斷孔（6）的數量為八個。

6.根據權利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導體單極化振子，其特征在于：所述第二隔離阻斷孔（7）的數量為五個。

7.根據權利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導體單極化振子，其特征在于：所述支撐巴倫板（1）為圓形；所述支撐巴倫板（1）為PCB板，其直徑為10cm。

8.根據權利要求1所述的一種帶收斂缺口的高增益半導體單極化振子，其特征在于：所述金屬振子片（3）的寬為6cm。