[發明專利]一種LED封裝結構

在審

• 申請號: 201410316144.8
• 申請日: 2014-07-04
• 公開（公告）號: CN104091875A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 梁興華;卓佳利;鄭建森;李佳恩;夏德玲;蔡培崧;林素慧;徐宸科
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種LED封裝結構，包括：

封裝基板，具有相對的上、下表面；

反射層，位于所述封裝基板的上表面或下表面上，反射指向封裝基板的光；

光轉換層，位于所述反射層上，吸收特定波長的光并轉換成其它波長的光；

LED芯片，位于所述光轉換層上，上、下雙向發射特定波長的光；

本封裝結構的特征在于：若定義所述封裝結構出光方向為正，則光轉換層位于LED芯片的背面，所述LED封裝結構發出的光由所述LED芯片發射的未經過光轉換層的光及其經過所述光轉換層的光組成。

2.根據權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述封裝基板的表面上具有正、負電路，兩者之間通過一絕緣區隔離。

3.根據權利要求2所述的LED封裝結構，其特征在于：所述反射層由導電反射層和DBR反射層構成，其中導電反射層形成于所述封裝基板的電路之上，所述DBR反射層形成于所述封裝基板的絕緣區。

4.根據權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述封裝基板具有凸起平臺，其高出于所述光轉換層，所述LED芯片安裝于該凸起平臺上，不與所述光轉換層直接接觸。

5.根據權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述封裝基板具有一絕緣本體和電路，該絕緣本體的具有一凹槽，所述電路分布于該凹槽底部并穿過該絕緣本體延伸至該絕緣本體的側壁。

6.根據權利要求5所述的LED封裝結構，其特征在于：所述反射層形成于所述封裝基板的上表面上，所述光轉換層填充所述凹槽，與所述封裝基板構成一表面平坦的整體。

7.根據權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述封裝基板由兩導電塊構成，之間通過一絕緣體隔離，所述反射層形成于所述兩導電上，并由該絕緣體隔離為兩個電性區域。

8.根據權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述反射層由金屬鏡面、光子晶體、反射涂料的一種或多種組合而成。

9.根據權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述光轉換層的光轉換材料由熒光粉、量子點、有機熒光/磷光材料的一種或多種組合而成。

10.根據權利要求9所述的LED封裝結構，其特征在于：所述光轉換層是由熒光粉和硅膠混合而成。

11.根據權利要求9所述的LED封裝結構，其特征在于：所述光轉換層是陶瓷熒光粉片。

12.根據權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述光轉換層的厚度小于1mm。

13.根據權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述光轉換層具有內部填充導電材料的通孔。

14.根據權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述LED芯片發出400nm-500nm波長的藍光，所述光轉換層吸收所述LED芯片發出的藍光，發出500nm-780nm波長的光。

15.根據權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：其還包含一透鏡，其完全透過500nm-780nm波長的光，而部分反射/透過400nm-500nm波長的光。