[發明專利]能抑制自身電磁輻射的電感電容共振腔及其制造方法

有效

• 申請號: 201410315822.9
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN105321932B
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 蔡志育;黃凱易;顏孝璁
• 申請（專利權）人: 瑞昱半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L21/82
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

本發明公開了一種能抑制自身電磁輻射的電感電容共振腔及其制造方法，所述電感電容共振腔的一實施例包含：一第一共振腔區域，其邊界是由一電感的一第一部分所定義；一第二共振腔區域，其邊界是由所述電感的一第二部分所定義，且所述電感的第二部分包含一開口；一交錯連接結構，用來電性連接所述電感的第一與第二部分，并區分所述第一與第二共振腔區域；以及至少一電容，設于所述第一與第二共振腔區域的至少其中之一內，其中所述第一與第二共振腔區域的面積比例介于20％至80％之間。

技術領域

本發明是關于電感電容共振腔(LC Tank)及其制造方法，尤其是關于能抑制自身電磁輻射的電感電容共振腔及其制造方法。

背景技術

電子產品于運作時會產生電磁波，可能會干擾其它裝置的正常運作甚至影響人體健康，因此多數國家均針對電子產品的電磁波立下規范，以防止電磁干擾(Electromagnetic Interference,EMI)帶來危害。

電子產品的組件之一的“集成電路(Integrated Circuit,IC)”是電磁波的主要來源之一，其中集成電路中的“電感”所產生的電磁波除可能干擾外部裝置，在某些應用上也可能干擾內部組件的運作。為減少電感的電磁波，一種先前技術是將電感設計成對稱形狀以減少輻射能量，然此先前技術僅考慮電感本身造成的影響，于設計應用上未盡周全。

上述先前技術的更多細節可由下列文獻得知：專利號7535330的美國專利；專利公開號2005/0195061的美國專利申請；專利號8183971的美國專利；以及專利號7151430的美國專利。

發明內容

鑒于先前技術的不足，本發明的一目的在于提出一種能抑制自身電磁輻射的電感電容共振腔及其制造方法，藉此以共振腔而非電感為主體來解決電磁輻射的問題。

本發明提出一種能抑制自身電磁輻射的電感電容共振腔，其一實施例包含：多個共振腔區域；一交錯連接結構；以及至少一電容。所述多個共振腔區域包含：一第一共振腔區域，其邊界是由一電感的一第一部分所定義；以及一第二共振腔區域，其邊界是由所述電感的一第二部分所定義，且所述第二部分包含一開口，其中所述第一與第二共振腔區域的面積比例介于20％至80％之間。所述交錯連接結構用來電性連接所述電感的第一與第二部分，并區分所述第一與第二共振腔區域。所述至少一電容設于所述多個共振腔區域的至少其中之一內，例如設于前述第二共振腔區域內。本實施例中，所述電感電容共振腔是一集成電路的一部分。

本發明亦提出一種制造能抑制自身電磁輻射的電感電容共振腔的方法，其一實施例包含下列步驟：形成多個共振腔區域；形成一交錯連接結構；以及形成至少一電容。詳言之，形成所述多個共振腔區域的步驟包含：根據一電磁輻射抑制效果決定一第一共振腔區域面積與一第二共振腔區域的面積；藉由一電感的一第一部分定義所述第一共振腔區域；以及藉由所述電感的一第二部分定義所述第二共振腔區域，其中所述電感的第二部分包含一開口。形成所述交錯連接結構的步驟是用來電性連接所述電感的第一與第二部分，并區分所述第一與第二共振腔區域。形成所述至少一電容的步驟是將所述至少一電容形成于所述多個共振腔區域的至少其中之一內。本實施例中，所述方法是一集成電路制程的一部分。

有關本發明的特征、實作與功效，茲配合圖式作較佳實施例詳細說明如下。

附圖說明

圖1是本發明的電感電容共振腔的一實施例的示意圖；

圖2是圖1的聯外接點虛擬聯機以定義第二共振腔區域的面積的示意圖；

圖3a是圖1的第一與第二共振腔區域的面積不相等的一實施例的示意圖；

圖3b是圖1的第一與第二共振腔區域的面積不相等的另一實施例的示意圖；

圖4是圖1的第一與第二共振腔區域的形狀不對稱的一實施例的示意圖；