[發明專利]用于形成金屬?絕緣體?金屬(MIM)電容器結構的機制

有效

• 申請號: 201410315681.0
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN104617078B
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發明（設計）人: 任啟中;許嘉倫
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，包括：

襯底，其中，所述襯底具有金屬-絕緣體-金屬區域和另一區域；以及

金屬-絕緣體-金屬電容器，形成在所述襯底上，其中，所述金屬-絕緣體-金屬電容器包括：

底電極，形成在所述襯底上方，其中，所述底電極是頂部金屬層的第一部分；

絕緣層，形成在所述底電極上；以及

頂電極，形成在所述絕緣層上；

重分布層(RDL)，形成所述頂部金屬層的在另一區域中的第二部分上，所述重分布層與所述頂電極和所述頂部金屬層的第二部分直接接觸。

2.根據權利要求1所述的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，其中，所述絕緣層形成在第一鈍化層中。

3.根據權利要求2所述的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，還包括：

第二鈍化層，形成在所述第一鈍化層上。

4.根據權利要求2所述的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，其中，所述頂電極的一部分從所述第一鈍化層的內部直接延伸至所述第一鈍化層的頂面上方。

5.根據權利要求1所述的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，還包括：

阻擋層，形成在所述底電極或所述頂電極上方。

6.根據權利要求5所述的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，還包括：

金屬焊盤，形成在所述底電極的一部分上，其中，所述金屬焊盤由與所述頂電極相同的材料形成。

7.根據權利要求6所述的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，還包括：

凸塊下金屬化(UBM)層，形成在所述金屬焊盤上方；以及

導電元件，形成在所述凸塊下金屬化層上。

8.根據權利要求5所述的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，

其中，所述重分布層由與所述頂電極相同的材料形成。

9.根據權利要求8所述的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，其中，所述重分布層從第一鈍化層之上延伸到達所述頂部金屬層的第二部分。

10.一種金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，包括：

襯底，所述襯底具有金屬-絕緣體-金屬區域和另一區域；以及

金屬-絕緣體-金屬電容器，形成在所述襯底上，其中，所述金屬-絕緣體-金屬電容器包括：

頂部金屬層，形成在所述襯底上方，其中，所述頂部金屬層的第一部分用作所述金屬-絕緣體-金屬電容器的底電極；

介電層，形成在所述底電極上；以及

重分布層(RDL)的第一部分，形成在所述金屬-絕緣體-金屬區域中的所述介電層上，其中，所述重分布層的第一部分用作所述金屬-絕緣體-金屬電容器的頂電極；以及

所述重分布層的第二部分形成在所述另一區域中的頂部金屬層的第二部分上，其中，所述重分布層的第二部分直接接觸所述頂電極和所述頂部金屬層的第二部分。

11.根據權利要求10所述的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，其中，所述介電層形成在第一鈍化層中。

12.根據權利要求11所述的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，還包括：

第二鈍化層，形成在所述重分布層和所述第一鈍化層上。

13.根據權利要求10所述的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，其中，所述頂部金屬層由銅(Cu)、銅合金、鋁(Al)、鋁(Al)合金、鎢(W)、鎢(W)合金或它們的組合制成。

14.根據權利要求10所述的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構，其中，所述介電層由氧化硅、氮化硅、硅玻璃或它們的組合制成。