[發明專利]一種亞波長抗反射結構器件及其制備方法無效
| 申請號： | 201410315591.1 | 申請日： | 2014-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN104049287A | 公開（公告）日： | 2014-09-17 |
| 發明（設計）人： | 尚鵬;熊勝明 | 申請（專利權）人： | 中國科學院光電技術研究所 |
| 主分類號： | G02B1/11 | 分類號： | G02B1/11 |
| 代理公司： | 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251 | 代理人： | 孟卜娟;李新華 |
| 地址： | 610209 *** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 波長 反射 結構 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種亞波長抗反射結構器件，其特征在于，包括平頂亞波長抗反射結構，所述平頂亞波長抗反射結構包括基底和刻蝕在所述基底之上的平頂表面微結構；所述亞波長抗反射結構器件還包括以傾斜入射沉積方式獲得的在所述平頂表面微結構之上的非平頂結構；所述非平頂結構與所述基底材質相同。
2.根據權利要求1所述的亞波長抗反射結構器件，其特征在于，所述非平頂結構的頂部的剖面為錐形、弧形或者半圓形。
3.根據權利要求1所述的亞波長抗反射結構器件，其特征在于，所述基底材料包括石英，玻璃，藍寶石、或者由硅、鍺、硫化鋅或硒化鋅制成的紅外光學窗口。
4.根據權利要求1所述的亞波長抗反射結構器件，其特征在于，所述平頂表面微結構的形狀至少包括圓柱、圓臺或棱柱的一種或幾種混合。
5.根據權利要求1所述的亞波長抗反射結構器件，其特征在于，所述傾斜入射沉積方式中傾斜角度包括在0～60度之間。
6.根據權利要求1所述的亞波長抗反射結構器件，其特征在于，所述非平頂結構的厚度小于或者等于所述平頂表面微結構的高度。
7.根據權利要求1-6任一所述的亞波長抗反射結構器件，其特征在于，所述沉積的方式至少包括電子束蒸發、濺射、熱蒸發、原子或電化學沉積。
8.一種如上所述的亞波長抗反射結構器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
清洗平頂亞波長抗反射結構的基底之上的平頂表面微結構的表面，去除雜質污染；
在清洗后的所述平頂表面微結構的表面，以傾斜沉積的方式獲得非平頂結構，所述非平頂結構與所述基底材質相同。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述非平頂結構的頂部的剖面為錐形、弧形或者半圓形；和/或
所述傾斜入射的方式中傾斜的角度包括在0～60度之間；和/或
所述非平頂結構的厚度小于或者等于所述平頂表面微結構的高度。
10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述平頂表面微結構的形狀至少包括圓柱、圓臺或棱柱的一種或幾種混合；和/或
所述沉積的方式至少包括電子束蒸發、濺射、熱蒸發、原子或電化學沉積。
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