[發明專利]半導體工藝方法以及半導體結構

有效

• 申請號: 201410315127.2
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN104064521A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 王昌峰;楊列勇;李潤領
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/02;H01L27/092
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種半導體工藝方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有N型場效應晶體管和P型場效應晶體管；

在所述N型場效應晶體管和所述P型場效應晶體管表面形成一第一保護層；

對所述第一保護層進行一離子注入過程和一峰值退火過程，形成第二保護層；

對所述P型場效應晶體管的所述第二保護層和所述半導體襯底進行選擇性刻蝕，在所述半導體襯底中形成漏凹槽、源凹槽；

在所述漏凹槽和所述源凹槽中生長一半導體合金層；

去除所述第二保護層。

2.如權利要求1所述的半導體工藝方法，其特征在于，所述半導體襯底為硅襯底。

3.如權利要求1所述的半導體工藝方法，其特征在于，所述第一保護層為氮化硅。

4.如權利要求1所述的半導體工藝方法，其特征在于，所述離子注入過程注入的離子為碳離子，注入濃度為大于等于5E14。

5.如權利要求1所述的半導體工藝方法，其特征在于，所述離子注入過程注入的離子為氮離子，注入濃度為大于等于5E14。

6.如權利要求1所述的半導體工藝方法，其特征在于，所述峰值退火過程采用的退火溫度為850℃-1150℃ 。

7.如權利要求6所述的半導體工藝方法，其特征在于，通入氮氣和氦氣進行所述峰值退火過程。

8.如權利要求1所述的半導體工藝方法，其特征在于，所述半導體合金層的材料為硅鍺合金。

9.如權利要求7所述的半導體工藝方法，其特征在于，采用外延工藝在所述空腔內生長所述半導體合金層。

10.如權利要求7所述的半導體工藝方法，其特征在于，向所述漏凹槽和所述源凹槽內通入二氯二氫硅、氯化氫、四氫化鍺氣體生長所述半導體合金層。

11.一種采用如權利要求1-10中任意一項所述半導體工藝方法制備的半導體結構，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底上形成有N型場效應晶體管和P型場效應晶體管；

所述P型場效應晶體管的所述半導體襯底中形成有漏凹槽、源凹槽；

所述漏凹槽和所述源凹槽中生長有一半導體合金層。