[發明專利]一種MoS2納米片的可控合成及同步表面修飾方法有效
| 申請號： | 201410314766.7 | 申請日： | 2014-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN104030360A | 公開（公告）日： | 2014-09-10 |
| 發明（設計）人： | 王世革;陳航榕;施劍林;馬明 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C01G39/06 | 分類號： | C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;鄭優麗 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mos sub 納米 可控 合成 同步 表面 修飾 方法 | ||
1.一種MoS2納米片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
以四硫代鉬酸銨為Mo源和S源，或者以鉬酸銨為Mo源并以硫脲為S源，將其溶于水或者水和聚乙二醇的混合溶劑中，在200—220℃熱處理12—18小時后，經分離、洗滌得到MoS2納米片，其中控制Mo源和S源的種類、濃度和/或所用溶劑以控制所述MoS2納米片的尺寸。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，以四硫代鉬酸銨為Mo源和S源，控制四硫代鉬酸銨的濃度為1-6mg/mL以制得片徑為40-125nm的MoS2納米片。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，以水為溶劑、以四硫代鉬酸銨為Mo源和S源，控制四硫代鉬酸銨的濃度為4-6mg/mL以制得片徑為50±10nm的MoS2納米片。
4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，以水和聚乙二醇的混合溶劑為溶劑、以四硫代鉬酸銨為Mo源和S源，控制四硫代鉬酸銨的濃度為4-6mg/mL以制得片徑為79±?15nm的MoS2納米片。
5.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，以水和聚乙二醇的混合溶劑為溶劑、以四硫代鉬酸銨為Mo源和S源，控制四硫代鉬酸銨的濃度為1-3mg/mL以制得片徑為79±?15nm的MoS2納米片。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，以鉬酸銨為Mo源并以硫脲為S源，控制鉬酸銨的濃度為20-50mg/mL，硫脲的濃度為50-80g/mL以制得片徑為160-345nm的MoS2納米片。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，以水為溶劑、以鉬酸銨為Mo源并以硫脲為S源，制得片徑為195±34nm的MoS2納米片。
8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，以水和聚乙二醇的混合溶劑為溶劑、以鉬酸銨為Mo源并以硫脲為S源，制得片徑為296±?47nm的MoS2納米片。
9.根據權利要求4、5或8所述的制備方法，其特征在于，所述MoS2納米片連接有PEG分子。
10.根據權利要求4、5或8所述的制備方法，其特征在于，所述混合溶劑中水與聚乙二醇的體積比為1：（0.5—2.5）。
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