[發(fā)明專利]一種數(shù)據(jù)讀寫方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410314629.3
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN105225676B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林殷茵;楊凱;趙俊峰;王元鋼;楊偉;傅雅蓉
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司;復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號: G11B5/02
• 分類號: G11B5/02;G11B5/09
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種數(shù)據(jù)讀寫裝置，其特征在于，所述裝置是以新型存儲介質(zhì)，以及與所述新型存儲介質(zhì)相連的讀寫電路相連接的閉合回路，其中：

所述新型存儲介質(zhì)，用于接收驅(qū)動(dòng)電流，所述驅(qū)動(dòng)電流用于驅(qū)動(dòng)所述新型存儲介質(zhì)處于可讀寫狀態(tài)；

所述讀寫電路，用于從所述新型存儲介質(zhì)中讀出第一數(shù)據(jù)，并將所述驅(qū)動(dòng)電流的方向置反，以及將所述第一數(shù)據(jù)寫回至所述新型存儲介質(zhì)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，

所述讀寫電路，還用于對讀出的所述第一數(shù)據(jù)進(jìn)行放大和模數(shù)轉(zhuǎn)換，以獲得數(shù)字信號形式的所述第一數(shù)據(jù)，并存儲所述數(shù)字信號形式的第一數(shù)據(jù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述讀寫電路包括讀裝置、讀裝置選通管、轉(zhuǎn)換電路、緩沖器、驅(qū)動(dòng)、寫裝置以及寫裝置選通管；

所述讀裝置與讀裝置選通管相連，所述讀裝置選通管與所述轉(zhuǎn)換電路相連；所述轉(zhuǎn)換電路與所述緩沖器相連；所述緩沖器與所述驅(qū)動(dòng)相連，所述驅(qū)動(dòng)與所述寫裝置選通管相連，所述寫裝置選通管與所述寫裝置相連；其中，

所述讀裝置，用于獲取所述新型存儲介質(zhì)的軌道上磁疇的磁化方向；

所述寫裝置，用于改變所述新型存儲介質(zhì)的軌道上磁疇的磁化方向；

所述轉(zhuǎn)換電路，用于將所述第一數(shù)據(jù)進(jìn)行放大；以及將放大后的第一數(shù)據(jù)進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，得到數(shù)字信號形式的第一數(shù)據(jù)；

所述緩沖器，用于存儲所述數(shù)字信號形式的第一數(shù)據(jù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述讀裝置選通管的柵極與讀裝置選通管字線相連，所述寫裝置選通管的柵極與寫裝置選通管字線相連，其中，

所述讀裝置，具體用于：若所述寫裝置選通管字線接低電平，所述讀裝置選通管字線接高電平，則從所述新型存儲介質(zhì)獲取所述第一數(shù)據(jù)；

所述寫裝置，具體用于：若所述寫裝置選通管字線接高電平，所述讀裝置選通管字線接低電平，則將所述第一數(shù)據(jù)寫回至所述新型存儲介質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，

所述讀寫電路，還用于從輸入輸出端口I/O獲取所述第一數(shù)據(jù)；以及將所述第一數(shù)據(jù)寫入所述新型存儲介質(zhì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，

所述新型存儲介質(zhì)為X-bar型磁性軌道存儲器、隧道磁電阻TMR磁頭磁性軌道存儲器，或者L型磁性軌道存儲器。

7.一種數(shù)據(jù)讀寫方法，其特征在于，包括：

接收驅(qū)動(dòng)電流，所述驅(qū)動(dòng)電流用于驅(qū)動(dòng)新型存儲介質(zhì)處于可讀寫狀態(tài)；

從所述新型存儲介質(zhì)中讀出第一數(shù)據(jù)；

將所述驅(qū)動(dòng)電流的方向置反；

將所述第一數(shù)據(jù)寫回至所述新型存儲介質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述將所述第一數(shù)據(jù)寫回至所述新型存儲介質(zhì)，包括：

對所述第一數(shù)據(jù)進(jìn)行寫入驅(qū)動(dòng)；

將寫入驅(qū)動(dòng)后的第一數(shù)據(jù)發(fā)送至所述新型存儲介質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述從所述新型存儲介質(zhì)中讀出第一數(shù)據(jù)之后，還包括：

對讀出的所述第一數(shù)據(jù)進(jìn)行放大和模數(shù)轉(zhuǎn)換，以獲得數(shù)字信號形式的所述第一數(shù)據(jù)；

將數(shù)字信號形式的所述第一數(shù)據(jù)寄存在緩沖器中。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述接收驅(qū)動(dòng)電流之后，還包括：

獲取所述第一數(shù)據(jù)；

對所述第一數(shù)據(jù)進(jìn)行寫入驅(qū)動(dòng)，進(jìn)而發(fā)送至所述新型存儲介質(zhì)。

11.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述新型存儲介質(zhì)為X-bar型磁性軌道存儲器、隧道磁電阻TMR磁頭磁性軌道存儲器，或者L型磁性軌道存儲器。