[發明專利]固態成像設備、其制造方法以及電子設備

有效

• 申請號: 201410314531.8
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN104282705B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 大地朋和
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/148;H04N5/369
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種固態成像設備，包括：

半導體基板，包括第一導體類型的半導體區域，其中，該第一導體類型的半導體區域包括第一表面和第二表面，所述第一表面具有包括第一凸部分和第二凸部分的凸部分；

第二導體類型的電荷轉移部，該電荷轉移部位于第一導體類型的半導體區域的第一表面與第二表面之間，其中，

該電荷轉移部構造為轉移光電轉換部所產生的電荷，并且

該電荷轉移部的第一端部形成在半導體基板的表面的第一凸部分之下，并且該電荷轉移部的第二端部形成在半導體基板的表面的第二凸部分之下。

2.根據權利要求1所述的固態成像設備，其中，

該電荷轉移部是構造為在垂直方向轉移電荷的垂直電荷耦合裝置。

3.根據權利要求1所述的固態成像設備，其中，

該電荷轉移部為讀出部，該讀出部構造為讀出該光電轉換部的電荷。

4.根據權利要求1所述的固態成像設備，其中，

該電荷轉移部為電荷累積部，該電荷累積部構造為暫時保留該光電轉換部中產生的電荷直到該電荷被讀出。

5.一種固態成像設備的制造方法，包括：

通過硅的局部氧化方法形成半導體基板的表面，該表面包括兩個凸部分；以及

對抗蝕劑掩模進行圖案化，使得從一個凸部分的頂部到另一凸部分的頂部的區域被打開，然后進行離子注入，使得該抗蝕劑掩模的邊界對應凸部分的頂部，從而在該半導體基板中形成電荷轉移部，所述電荷轉移部構造為轉移光電轉換部所產生的電荷。

6.根據權利要求5所述的固態成像設備的制造方法，還包括：

在該電荷轉移部形成之后，使該半導體基板的該凸部分變平。

7.一種電子設備，包括：

構造為接收入射光的至少一個透鏡；

固態成像設備，構造為從所述至少一個透鏡接收入射光，該固態成像設備包括：

半導體基板，包括第一導體類型的半導體區域，其中，該第一導體類型的半導體區域包括第一表面和第二表面，所述第一表面具有包括第一凸部分和第二凸部分的凸部分；

第二導體類型的電荷轉移部，該電荷轉移部位于第一導體類型的半導體區域的第一表面與第二表面之間，

其中，

該電荷轉移部構造為轉移光電轉換部所產生的電荷，并且

該電荷轉移部的第一端部形成在半導體基板的表面的第一凸部分之下，并且該電荷轉移部的第二端部形成在半導體基板的表面的第二凸部分之下。