[發明專利]一種CMP片狀研磨修整器及其生產方法有效
| 申請號： | 201410313824.4 | 申請日： | 2014-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN104084884A | 公開（公告）日： | 2014-10-08 |
| 發明（設計）人： | 鄒余耀 | 申請（專利權）人： | 南京三超金剛石工具有限公司 |
| 主分類號： | B24B53/12 | 分類號： | B24B53/12;B24B53/017 |
| 代理公司： | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人： | 朱慶華 |
| 地址： | 211124 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cmp 片狀 研磨 修整 及其 生產 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種ＣＭＰ片狀研磨修整器，其包括修整本體，其特征在于，所述修整本體包括由外到內依次設置的超細磨粒層、中間層和基體層，所述中間層為低熔點金屬或結合劑，所述超細磨粒層通過低熔點金屬或結合劑與所述基體層連接。
2.一種ＣＭＰ片狀研磨修整器的生產方法，其特征在于，包括步驟：
a)母板上預鍍超細磨粒；
在母板上預鍍超細磨粒后，再正式電鍍固定砂粒，形成超細磨粒層；
b)把固定在母板的超細磨粒層反轉后裝到基體層上；
使用夾具把固定在母板的超細磨粒裝到基體層上，接合時基體層和超細磨粒層尖端平行，所述基體層和所述超細磨粒層之間用低熔點金屬或結合劑連接；
c)除去母板；
d)化學處理，把15%的HCl與Na2B4O7混合，并升溫至50℃。
3.根據權利要求2所述的一種ＣＭＰ片狀研磨修整器的生產方法，其特征在于，所述步驟a中的正式電鍍鍍層的厚度是超細磨粒粒徑的１００％～２００％。
4.根據權利要求2所述的一種ＣＭＰ片狀研磨修整器的生產方法，其特征在于，所述步驟b中使用的低熔點金屬的熔點在２００℃以下。
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