[發明專利]一種具有電致變色特性的雙層柵介質薄膜晶體管

在審

• 申請號: 201410313635.7
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN104051543A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 郭立強;丁建寧;凌智勇;程廣貴;張忠強
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/51
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種具有電致變色特性的雙層柵介質薄膜晶體管，其特征在于：包括由下至上的透明基底材料層、透明導電層、二氧化硅質子導體柵絕緣層、氧化鎢質子導體柵絕緣層、溝道層及源漏電極；透明導電層上依次設有作為質子存儲層的二氧化硅質子導體柵絕緣層和發生電致變色的氧化鎢質子導體柵絕緣層；氧化鎢層上設有溝道層；溝道層上設有源漏電極。

2.如權利要求1所述的一種具有電致變色特性的雙層柵介質薄膜晶體管，其特征在于：在作為柵電極的透明導電層上施加正向電壓時，質子將從二氧化硅質子導體柵絕緣層遷移到氧化鎢質子導體柵絕緣層，激發晶體管中氧化鎢產生變色；在作為柵電極的透明導電層上施加負向電壓時，質子將從氧化鎢質子導體膜移回至二氧化硅質子導體柵絕緣層，激發晶體管中氧化鎢恢復原有顏色。

3.如權利要求1所述的一種具有電致變色特性的雙層柵介質薄膜晶體管，其特征在于：所述的透明基底材料層為無色透明玻璃。

4.如權利要求1所述的一種具有電致變色特性的雙層柵介質薄膜晶體管，其特征在于：所述的透明導電層為ITO層，厚度為60~500nm。

5.所如權利要求1所述的一種具有電致變色特性的雙層柵介質薄膜晶體管，其特征在于：述的溝道層為IZO、ITO或IGZO，厚度為20~50nm。

6.如權利要求1所述的一種具有電致變色特性的雙層柵介質薄膜晶體管，其特征在于：所述的源極和漏極采用IZO、ITO或IGZO，厚度為200~500nm。

7.如權利要求1所述的一種具有電致變色特性的雙層柵介質薄膜晶體管，其特征在于：所述的氧化鎢薄膜的厚度為300-1000?nm，所述的二氧化硅質子導體膜的厚度為500-4000?nm。