[發明專利]用于功率變換器的多芯片封裝結構無效
| 申請號： | 201410313523.1 | 申請日： | 2014-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN104167401A | 公開（公告）日： | 2014-11-26 |
| 發明（設計）人： | 徐孝如;葉佳明;黃秋凱 | 申請（專利權）人： | 矽力杰半導體技術(杭州)有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495;H01L25/18;H01L25/00 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 功率 變換器 芯片 封裝 結構 | ||
1.一種用于功率變換器的多芯片封裝結構，其特征在于，包括，引線框架，功率器件晶片和功率二極管晶片；其中，
所述引線框架包括第一類型引腳和第二類型引腳；
所述第一類型引腳包括位于所述引線框架中間區域的中間焊盤和與所述中間焊盤相連接的并且位于所述引線框架的外圍區域的外圍引腳；
所述第二類型引腳位于所述引線框架的外圍區域，所述第二類型引腳與所述第一類型引腳之間相互隔離；
所述功率器件晶片位于一所述第一類型引腳的中間焊盤之上，并且，所述功率器件晶片的底部與對應的所述中間焊盤成電性連接；
所述功率二極管晶片電性連接至另一所述第一類型引腳的中間焊盤之上，以使所述第一類型引腳具有與所述功率二極管晶片的一電極相對應的電極性；
所述功率器件晶片頂部的一功率電極通過鍵合引線連接至所述功率二極管晶片所對應的一電極。
2.根據權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，還包括位于另一所述第一類型引腳的中間焊盤之上的控制器晶片；所述控制器晶片的底部通過絕緣材料粘接至對應的所述中間焊盤。
3.根據權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，還包括通過絕緣材料粘接至所述功率器件晶片的頂部之上的控制器晶片。
4.根據權利要求2或3所述的任一多芯片封裝結構，其特征在于，所述控制器晶片的一電極通過一鍵合引線連接至所述功率器件晶片頂部的一對應的電極。
5.根據權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，所述功率二極管晶片的底部為陰極，頂部為陽極。
6.根據權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，所述功率器件包括一N型MOSFET晶體管，漏極位于所述功率器件晶片的底部，柵極和源極位于所述功率器件晶片的頂部。
7.根據權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，所述功率二極管晶片正裝于所述第一類型引腳的中間焊盤之上。
8.根據權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，所述功率二極管晶片倒裝于所述第一類型引腳的中間焊盤之上。
9.根據權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，所述功率器件晶片頂部的所述功率電極通過鍵合引線連接至所述功率二極管晶片所位于的所述第一類型引腳的中間焊盤。
10.根據權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，所述功率器件晶片頂部的所述功率電極通過鍵合引線連接至所述功率二極管晶片頂部的一對應的電極。
11.根據權利要求1或2或3所述的任一多芯片封裝結構，其特征在于，所述功率器件晶片、所述功率二極管晶片和所述控制器晶片的電極通過鍵合引線連接至對應的所述第二類型引腳。
12.根據權利要求1或2或3所述的任一多芯片封裝結構，其特征在于，還包括塑封殼，以將所述引線框架，所述功率器件晶片、所述功率二極管晶片和所述控制器晶片進行塑封，并使得所述外圍引腳和所述第二類型引腳部分裸露。
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