[發明專利]一種雙層高輻射電熱膜結構及制備方法

在審

• 申請號: 201410313179.6
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN104091882A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 陳國棟;甄永泰;蔡明
• 申請（專利權）人: 陳國棟
• 主分類號: H01L35/34
• 分類號: H01L35/34;H01L35/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種雙層高輻射電熱膜結構的制備方法，其特征在于，包括：

1）采用陶瓷片或石英玻璃作為基底材料；

2）對基底材料表面進行刻蝕處理，使基底材料表面呈現凸臺狀或者凹坑狀的絨化表面；

3）在基底材料的絨化表面之上沉積二氧化錫摻雜電熱膜；

4）在二氧化錫摻雜電熱膜之上沉積碳化硅薄膜；

5）去除所需焊接電極部分的碳化硅薄膜層，形成電極焊接窗口，在該窗口焊接電熱膜電極。

2.根據權利要求1所述的雙層高輻射電熱膜結構的制備方法，其特征在于，步驟1）中，基于常壓化學氣相沉積(APCVD)方式制備二氧化錫摻雜薄膜，其厚度在1.5mm~7mm。

3.根據權利要求1或2所述的雙層高輻射電熱膜結構的制備方法，其特征在于，步驟4）中，采用CVD方法在在二氧化錫摻雜電熱膜之上沉積碳化硅薄膜以制備碳化硅薄膜。

4.根據權利要求3所述的雙層高輻射電熱膜結構的制備方法，其特征在于，步驟4）中，沉積碳化硅薄膜之前，對二氧化錫摻雜電熱膜的表面進行氧氣等離子體處理。

5.根據權利要求1或2所述的雙層高輻射電熱膜結構的制備方法，其特征在于，步驟2）中，使用氫氟酸對基底材料表面進行刻蝕處理，使基底表面呈現出凸臺狀或者凹坑狀的絨化表面；

其中，氫氟酸濃度1.5%~10%，工藝處理時間35s~500s，所制備的基底的粗糙度控制在500nm~50μm，刻蝕凸起或凹陷縱橫比1.5~8。

6.根據權利要求1或2所述的雙層高輻射電熱膜結構的制備方法，其特征在于，步驟3）中，基底材料經過清洗之后進行摻雜二氧化錫電熱膜的沉積制備；

基底材料清洗流程采用超聲潔凈清洗，在去離子水超聲清洗后，進行基底加熱至300℃~900℃，隨后進行表面的氧等離子體清理；

等離子體清理后進行二氧化錫摻雜薄膜的制備，薄膜厚度300nm~2000nm，摻雜重量比1.8%~9%。

7.根據權利要求6所述的雙層高輻射電熱膜結構的制備方法，其特征在于，包括：常壓化學氣相沉積法制備二氧化錫摻雜電熱膜以及碳化硅薄膜層。

8.根據權利要求7所述的雙層高輻射電熱膜結構的制備方法，其特征在于，具體包括：

?SnCl₂和SbCl₃源均用N₂做載氣，分別在90℃~130℃和70℃~100℃進行氣化，O₂作為氧化劑，N₂作為稀釋氣體，用來稀釋反應混合氣，制備厚度300nm~2000nm，摻雜重量比1.8%~9%二氧化錫摻雜電熱膜。

9.根據權利要求7所述的雙層高輻射電熱膜結構的制備方法，其特征在于，采用SiH₄-C₃H₈-H₂氣體反應體系，在二氧化錫薄膜之上制備碳化硅薄膜，厚度控制在50nm~300nm間。

10.基于權利要求1~9任一方法制備而成的雙層高輻射電熱膜。