[發明專利]用于光刻的組合物和方法

有效

• 申請號: 201410310502.4
• 申請日: 2007-03-12
• 公開（公告）號: CN104407501B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: M·K·噶拉格爾;D·王
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限公司
• 主分類號: G03F7/095
• 分類號: G03F7/095;G03F7/11;G03F7/004;G03F7/039;G03F7/20
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 樊云飛

1.一種涂敷過的基片，該基片包括：

位于基片上的光刻膠組合物層；

位于該光刻膠組合物層上面的有機組合物，所述有機組合物包含(i)第一樹脂，(ii)不同于所述第一樹脂的第二樹脂，所述第一樹脂和第二樹脂中的至少一種包含一種或多種親水基團，所述第一樹脂和第二樹脂各自含有光酸不穩定基團，其中所述第一樹脂是聚甲基丙烯酸叔丁酯-共-甲基丙烯酸，所述第二樹脂是聚甲基丙烯酸叔丁酯；和(iii)一種或多種生酸劑化合物，其中所述有機組合物不含具有硅原子的樹脂。

2.一種處理光刻膠組合物的方法，該方法包括：

(a)在基片上施涂光刻膠組合物；

(b)在所述光刻膠組合物上面施涂有機組合物，該有機組合物包含：(i)第一樹脂，(ii)不同于所述第一樹脂的第二樹脂，所述第一樹脂和第二樹脂中的至少一種包含一種或多種親水基團，所述第一樹脂和第二樹脂各自含有光酸不穩定基團，其中所述第一樹脂是聚甲基丙烯酸叔丁酯-共-甲基丙烯酸，所述第二樹脂是聚甲基丙烯酸叔丁酯；和(iii)一種或多種生酸劑化合物，其中所述有機組合物不含具有硅原子的樹脂；

(c)將所述光刻膠組合物形成的層曝光于輻射，活化光刻膠組合物。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻膠是浸漬曝光的，所述基片是微電子晶片基片。

4.如權利要求2-3中任一項所述的方法，其特征在于，將所述光刻膠曝光于波長為193納米的輻射。

5.一種用來與下面的光刻膠組合物層一起使用的涂層組合物，所述涂層組合物包含：

(a)一種或多種生酸劑化合物；

(b)(i)第一樹脂，(ii)不同于所述第一樹脂的第二樹脂，所述第一樹脂和第二樹脂中的至少一種包含一種或多種親水基團，所述第一樹脂和第二樹脂各自含有光酸不穩定基團；和(iii)一種或多種生酸劑化合物，其中所述第一樹脂是聚甲基丙烯酸叔丁酯-共-甲基丙烯酸，所述第二樹脂是聚甲基丙烯酸叔丁酯；

其中所述涂層組合物不含具有硅原子的樹脂。