[發(fā)明專利]一種擇優(yōu)取向生長的Bi5Ti3FeO15多鐵性薄膜的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410309940.9 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104045335A | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊鋒;劉芬;楊長紅;胡廣達(dá);宗志豪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 濟(jì)南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C04B35/26 | 分類號(hào): | C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司: | 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 37218 | 代理人: | 賈波 |
| 地址: | 250022 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 擇優(yōu)取向 生長 bi sub ti feo 15 多鐵性 薄膜 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種層狀鈣鈦礦型Bi5Ti3FeO15(簡稱BTFO)多鐵性薄膜的制備方法,具體涉及一種在(111)Pt/Ti/SiO2/Si襯底上擇優(yōu)取向生長的Bi5Ti3FeO15多鐵性薄膜的制備方法。?
背景技術(shù)
無論是單相多鐵性體系或多鐵性復(fù)合體系,走向?qū)嶋H應(yīng)用不可避免要以薄膜異質(zhì)結(jié)的形態(tài)呈現(xiàn),這是發(fā)展信息器件的需要。多鐵性薄膜材料不但有鐵電、鐵磁和鐵彈性共存,而且由于不同鐵性之間的相互耦合而產(chǎn)生如磁電效應(yīng)等新的功能,使人們?cè)诨陔姾尚蚝妥孕蛟O(shè)計(jì)的器件之外有了一個(gè)新的自由度來設(shè)計(jì)新型磁電器件,這有利于器件向小型化和多功能化方向發(fā)展,使其在聲納探測(cè)器、自旋電子器件、傳感器和信息存儲(chǔ)器等高新技術(shù)領(lǐng)域潛在的應(yīng)用前景大大增加。隨著多鐵性薄膜器件微型化和半導(dǎo)體集成工藝的發(fā)展,器件的單元尺寸也將會(huì)小到100nm,可以與多晶薄膜材料的晶粒尺寸相媲比。隨機(jī)取向的晶粒會(huì)使得器件單元鐵電性能發(fā)散,進(jìn)而影響器件的整體可靠性。另外,層狀鈣鈦礦氧化物多鐵薄膜材料存在各向異性,不同取向的薄膜材料具有不同的電學(xué)和磁性性能,在不同的應(yīng)用領(lǐng)域有著不同的應(yīng)用,如在微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)中,要求壓電性能要好,在非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器(NvFRAM)中,要求鐵電極化強(qiáng)度要大,而在磁電耦合器件中,則要求其磁電耦合系數(shù)要大。因此,生長出均勻取向的薄膜對(duì)集成多鐵性器件來講具有重要的意義。?
近年來,人們?cè)谌∠蛏L鐵性薄膜方面取得了一些進(jìn)展,但是大多數(shù)都采用了單晶襯底,且采用制備條件較為苛刻的PLD法進(jìn)行外延生長。但是,大多數(shù)器件都要求集成在Si襯底上,為獲得具有使用價(jià)值的高性能多鐵性薄膜,如何在Pt/Ti/SiO2/Si(100)襯底上實(shí)現(xiàn)均勻取向生長的高性能層狀鈣鈦礦型多鐵性薄膜(BTFO),是亟待解決的課題。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種擇優(yōu)取向生長的Bi5Ti3FeO15多鐵性薄膜的制備方法,該方法操作方便,工藝簡單,成本較低,所得薄膜擇優(yōu)取向高,并且與CMOS(Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體),工藝兼容。?
本發(fā)明技術(shù)方案如下:?
一種擇優(yōu)取向生長的Bi5Ti3FeO15多鐵性薄膜的制備方法,其特征是包括以下步驟:以(111)Pt/Ti/SiO2/Si為襯底,在襯底上先采用溶膠凝膠法沉積CoFe2O4薄膜作為種子層,然后在種子層上再采用溶膠凝膠法沉積Bi5Ti3FeO15薄膜,所得Bi5Ti3FeO15薄膜在c軸擇優(yōu)取向?生長。?
本發(fā)明提供的方法可以使Bi5Ti3FeO15薄膜在c軸擇優(yōu)取向生長,其中種子層是擇優(yōu)取向生長的關(guān)鍵,CoFe2O4種子層的厚度為8-25nm時(shí)取向生長好,種子層過薄或者過厚都會(huì)影響薄膜的取向。其中種子層的厚度優(yōu)選為15nm。?
上述制備方法中,所述Bi5Ti3FeO15多鐵性薄膜的厚度為50-500nm。?
上述制備方法中,CoFe2O4種子層的制備方法也會(huì)對(duì)薄膜的取向生長有一定影響,優(yōu)選包括以下步驟:?
(1)高分子輔助沉積法制備CoFe2O4前驅(qū)體溶液?
a.按0.05g/ml配制聚乙烯亞胺高分子溶液,再按質(zhì)量比Co(Cl)2∶聚乙烯亞胺=1∶1稱取Co(Cl)2溶解于上述高分子溶液中,磁力攪拌均勻,聚乙烯亞胺(PEI)高分子富含的-NH2可以綁定溶液中的鈷離子;將上述得到的溶液倒入超濾杯中過濾,濾掉小分子量的聚乙烯亞胺分子和未被綁定的離子;?
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