[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410308893.6 | 申請日: | 2014-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN104064567B | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝正芳;王磊;沈新樂;孔祥建 | 申請(專利權(quán))人: | 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201201 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù),特別涉及一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法。
背景技術(shù)
平板顯示裝置具有輕薄、功耗低和低輻射等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。隨著科技的快速發(fā)展,人們對于平板顯示裝置的品質(zhì)要求越來越高,寬視角、超薄化、窄邊框逐漸成為選擇平板顯示裝置的重要因素。
COG封裝(chip on glass),即將驅(qū)動芯片直接綁定在玻璃上的一種封裝技術(shù),這種方式可以大大減小整個平板顯示裝置的體積,并且減少了印刷電路板上的走線和層數(shù),削減了電路板的尺寸和復(fù)雜性,整體降低了成本。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板邊框區(qū)域COG封裝的結(jié)構(gòu)圖,如圖1所示,陣列基板邊框區(qū)域包括用于綁定IC(Integrated Circuit,集成電路)芯片的區(qū)域,在該區(qū)域包括IC芯片放置區(qū)2,設(shè)置在IC芯片放置區(qū)一側(cè)的輸入端子區(qū)1,輸入端子區(qū)3設(shè)置有多個輸入端子31,設(shè)置在IC芯片放置區(qū)另一側(cè)的輸出端子區(qū)3,輸出端子區(qū)1設(shè)置有多個輸出端子11。當(dāng)綁定IC芯片(圖中未示出)時,IC芯片輸入引腳與輸入端子31一一對應(yīng)電連接,IC芯片輸出引腳與輸出端子11一一對應(yīng)電連接,以實現(xiàn)信號的傳輸。
通常,對IC芯片選擇的判定標(biāo)準(zhǔn)為:IC芯片輸入引腳與輸出引腳之間的距離D大于等于陣列基板輸入端子區(qū)與輸出端子區(qū)之間的距離D'。為了實現(xiàn)窄邊框和降低成本,IC芯片的發(fā)展趨勢為尺寸越來越小。但是,在陣列基板設(shè)計結(jié)構(gòu)不變的前提下,如果IC芯片過小,當(dāng)IC芯片綁定時,先使得IC芯片的輸出引腳與輸出端子相配合,這時,IC芯片的輸入引腳會進(jìn)入到IC芯片放置區(qū)的走線區(qū),IC芯片端子引腳與陣列基板上的輸入端子接觸面積就會變小,造成IC芯片與陣列基板端子的接觸不良,同時,IC內(nèi)部走線短路的風(fēng)險也會增加。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種陣列基板,包括IC壓接區(qū),所述IC壓接區(qū)包括IC區(qū),以及設(shè)置在IC區(qū)一側(cè)且靠近所述陣列基板邊緣的端子區(qū),所述端子區(qū)設(shè)置有多個傳輸端子,所述IC區(qū)包括依次層疊設(shè)置的導(dǎo)線層、第一絕緣層、隔離層和第二絕緣層,所述傳輸端子包括設(shè)置于所述第二絕緣層上且從所述端子區(qū)延伸至所述IC區(qū)的第一導(dǎo)電層,其中,所述隔離層設(shè)置在所述IC區(qū)且至少與延伸至所述IC區(qū)的所述第一導(dǎo)電層相交疊。
本發(fā)明還提供一種顯示裝置,包括上述陣列基板,對向基板,與所述陣列基板相對設(shè)置。
本發(fā)明還提供一種制造上述陣列基板的制造方法,包括:提供基板,所述基板包括IC壓接區(qū),所述IC壓接區(qū)包括IC區(qū),以及設(shè)置在IC區(qū)一側(cè)且靠近所述陣列基板邊緣的端子區(qū);在所述基板的IC區(qū)形成導(dǎo)線層;在所述導(dǎo)線層上覆蓋第一絕緣層;在所述IC區(qū)的所述第一絕緣層上形成隔離層;在所述隔離層和所述第一絕緣層上覆蓋第二絕緣層;在所述第二絕緣層上形成傳輸端子的第一導(dǎo)電層,所述第一導(dǎo)電層從所述端子區(qū)延伸至所述IC區(qū);其中,所述隔離層設(shè)置在所述IC區(qū)且至少與延伸至所述IC區(qū)的所述第一導(dǎo)電層相交疊。
由于將傳輸端子的第一導(dǎo)電層從端子區(qū)延伸至IC區(qū),當(dāng)選用的IC芯片較小時,使得IC芯片一側(cè)的輸出引腳與輸出端子相配合,IC芯片另一側(cè)的輸入引腳也可以與延伸至IC區(qū)的第一導(dǎo)電層保證足夠的交疊面積,進(jìn)而降低IC芯片與陣列基板端子的接觸不良。同時,由于在IC區(qū)的第一導(dǎo)電層與導(dǎo)線層之間設(shè)置隔離層,增加了兩者之間的厚度,在IC芯片壓接時,避免了第一導(dǎo)電層與導(dǎo)線層之間的短路風(fēng)險。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)陣列基板IC壓接區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板IC壓接區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是圖2沿A-A’截面的一種IC壓接區(qū)的剖面結(jié)構(gòu)圖;
圖4是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板IC壓接區(qū)的綁定示意圖;
圖5是本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板IC壓接區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6是本發(fā)明圖5實施例中的陣列基板IC壓接區(qū)在位置a的局部放大圖;
圖7是圖6沿B-B’截面的一種IC壓接區(qū)的剖面結(jié)構(gòu)圖;
圖8是圖6沿B-B’截面的另一種IC壓接區(qū)的剖面結(jié)構(gòu)圖;
圖9是圖6沿B-B’截面的另一種IC壓接區(qū)的剖面結(jié)構(gòu)圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





