[發明專利]鰭式場效應晶體管的形成方法

有效

• 申請號: 201410308867.3
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN105225958B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 謝欣云
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 應戰;駱蘇華

1.一種鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底表面形成有兩個以上分立且平行排列的鰭部；

在所述半導體襯底表面形成隔離層，所述隔離層表面低于鰭部的頂部表面且覆蓋鰭部的部分側壁；

在所述隔離層表面形成橫跨一個或多個鰭部的柵極結構，所述柵極結構覆蓋所述鰭部側壁和頂部；

對所述柵極結構一側鰭部進行第一離子注入，所述第一離子注入的注入方向與柵極結構相對，并且所述第一離子注入的注入方向在半導體襯底表面的投影與鰭部長度方向之間的銳角夾角為第一扭轉角，所述第一扭轉角大于0°小于45°；

對所述柵極結構另一側鰭部進行第二離子注入，所述第二離子注入的注入方向與柵極結構相對，并且所述第二離子注入的注入方向在半導體襯底表面的投影與鰭部長度方向之間的銳角夾角為第二扭轉角，所述第二扭轉角大于0°小于45°；

所述第一離子注入的注入方向與半導體襯底法線之間的傾斜角的正切值小于或等于相鄰鰭部的間距與鰭部頂部與隔離層表面的高度差之間的比值；

所述第二離子注入的注入方向與半導體襯底法線之間的傾斜角的正切值小于或等于相鄰鰭部的間距與鰭部頂部與隔離層表面的高度差之間的比值。

2.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一扭轉角與第二扭轉角大小相同。

3.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入包括：對鰭部的一側進行第一方向離子注入，然后對所述鰭部的另一側進行第二方向離子注入。

4.根據權利要求3所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一方向離子注入的注入方向與第二方向離子注入的注入方向關于鰭部的長度方向對稱。

5.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二離子注入包括：對鰭部的一側進行第三方向離子注入，然后對所述鰭部的另一側進行第四方向離子注入。

6.根據權利要求5所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述第三方向離子注入的注入方向與第四方向離子注入的注入方向關于鰭部的長度方向對稱。

7.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底為晶圓，所述晶圓邊緣具有對準標記，所述對準標記與晶圓圓心之間的連線與鰭部的長度方向垂直。

8.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二離子注入的注入方向與半導體襯底法線之間的傾斜角與第一離子注入的注入方向與半導體襯底法線之間的傾斜角相同。

9.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的總劑量與第二離子注入的總劑量不相同。

10.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入和第二離子注入的摻雜離子的類型與待形成的鰭式場效應晶體管的類型相反。

11.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的離子能量為15KeV～60KeV，劑量為3E13atom/cm²～6E13atom/cm²。

12.根據權利要求4所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，第一方向離子注入的離子能量為15KeV～60KeV，劑量為1.5E13atom/cm²～3E13atom/cm²；第二方向離子注入的離子能量為15KeV～60KeV，劑量為1.5E13atom/cm²～3E13atom/cm²。