[發明專利]一種自適應微結構防污減阻材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201410308738.4 | 申請日： | 2014-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN104044694A | 公開（公告）日： | 2014-09-17 |
| 發明（設計）人： | 張金偉;藺存國;王利 | 申請（專利權）人： | 中國船舶重工集團公司第七二五研究所 |
| 主分類號： | B63B5/00 | 分類號： | B63B5/00 |
| 代理公司： | 青島高曉專利事務所 37104 | 代理人： | 黃曉敏 |
| 地址： | 266071 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 自適應 微結構 防污 材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種自適應微結構防污減阻材料，其特征在于所述的具有自適應微結構防污減阻材料為有機硅彈性體材料，其自適應微結構基本單元呈鋸齒形，鋸齒形基本單元相互間隔交錯排布形成陣列狀，其中鋸齒形基本單元的鋸齒長度為10-60微米，鋸齒高度與鋸齒長度的比值為0.2-0.5，鋸齒基底高度與鋸齒高度的比值為0.25；鋸齒形基本單元的縱向間距為5-30微米，橫向間距與鋸齒長度的比值為1；鋸齒形基本單元的凸起高度為30-90微米；所用有機硅彈性體材料包括加成型有機硅彈性體和縮合型有機硅彈性體。
2.一種如權利要求1所述自適應微結構防污減阻材料的制備方法，其特征在于具體制備工藝過程為：先采用常規的電子束刻蝕方法在單晶硅片上制備與自適應微結構相對應的光掩膜，再利用常規的深硅刻蝕方法對單晶硅片進行等離子體刻蝕，控制刻蝕深度為30-90微米，制備得到鋸齒形凹陷圖案的單晶硅片；然后將鋸齒形凹陷圖案的單晶硅片用膠帶封邊后倒入除氣的液體硅橡膠，在室溫下固化后揭下液體硅橡膠，即制備得到具有自適應微結構的防污減阻材料。
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