[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201410308003.1
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN104091810A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 龍春平;梁逸南;皇甫魯江
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上通過一次構圖工藝形成包括柵極、柵極絕緣層、多晶硅有源層的圖案；

在形成有上述圖案的基板表面，形成鈍化層，并在所述鈍化層的表面通過一次構圖工藝形成第一過孔和第二過孔的圖案；

在形成有上述圖案的基板表面，通過一次構圖工藝形成源極、漏極以及像素電極的圖案；其中，所述源極通過所述第一過孔與所述多晶硅有源層電連接，所述漏極通過所述第二過孔與所述多晶硅有源層電連接；

在形成有上述圖案的基板表面通過一次構圖工藝形成像素界定層的圖案。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成柵極、柵極絕緣層、多晶硅有源層的圖案的方法包括：

在所述襯底基板上覆蓋緩沖層；

在所述緩沖層的表面依次形成柵極金屬薄膜層、柵極絕緣薄膜層以及多晶硅薄膜層；

在所述多晶硅薄膜層的表面涂覆一層光刻膠，通過一次曝光顯影工藝后形成第一光刻膠完全保留區域、第一光刻膠部分保留區域和第一光刻膠完全去除區域，所述第一光刻膠完全保留區域對應待形成的所述柵極、所述柵極絕緣層以及所述多晶硅有源層的圖案，所述第一光刻膠部分保留區域對應與所述柵極相連的柵線的圖案，所述第一光刻膠完全去除區域對應所述多晶硅薄膜層表面的其余區域；

刻蝕對應所述第一光刻膠完全去除區域的所述多晶硅薄膜層、所述柵極絕緣薄膜層以及所述柵極金屬薄膜層；

去除所述第一光刻膠部分保留區域的光刻膠，并對所述第一光刻膠部分保留區域對應的所述多晶硅薄膜層進行刻蝕；

對所述第一光刻膠完全保留區域的光刻膠進行剝離，最終形成所述柵極、所述柵極絕緣層以及所述柵線的圖案；

對對應所述第一光刻膠完全保留區域的所述多晶硅薄膜層進行離子摻雜工藝，以形成所述多晶硅有源層的圖案。

3.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，

所述柵極絕緣層位于所述柵極與所述多晶硅有源層之間，包括靠近所述柵極一側表面的第二物質層和靠近所述多晶硅有源層一側表面的第一物質層；

所述緩沖層位于所述柵極與所述襯底基板之間，包括靠近所述柵極一側表面的所述第一物質層和靠近所述襯底基板一側表面的所述第二物質層；

其中，所述第一物質層由氮化硅構成；

所述第二物質層由二氧化硅構成。

4.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述柵極絕緣薄膜層的表面形成所述多晶硅薄膜層的方法包括：

在所述柵極絕緣薄膜層的表面形成非晶硅薄膜；

對所述非晶硅薄膜進行脫氫工藝；

對經過所述脫氫工藝的所述非晶硅薄膜采用結晶工藝，以形成所述多晶硅薄膜層。

5.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在形成有上述圖案的基板表面，形成鈍化層，并在所述鈍化層的表面形成第一過孔和第二過孔的方法包括：

在所述多晶硅有源層的表面形成所述鈍化層；其中，所述鈍化層由含氫元素的氮化硅薄膜構成；

采用退火工藝對所述鈍化層進行退火處理；

在經過所述退火處理的所述鈍化層表面，通過一次構圖工藝形成所述第一過孔和所述第二過孔的圖案。

6.根據權利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在形成有上述圖案的基板表面形成源極、漏極以及像素電極的圖案的方法包括：

在所述鈍化層的表面，依次形成源漏金屬薄膜層、透明導電薄膜層；

在所述透明導電薄膜層的表面形成所述光刻膠，通過一次曝光顯影工藝，在所述透明導電薄膜層的表面形成對應待形成的所述源極和所述漏極圖案的第二光刻膠完全保留區域，以及對應所述透明導電薄膜層表面其余區域的第二光刻膠完全去除區域；

對對應所述第二光刻膠完全去除區域的所述透明導電薄膜層、所述源漏金屬薄膜層進行刻蝕；

將所述第二光刻膠完全保留區域的光刻膠剝離，最終形成所述源極、所述漏極以及位于所述源極表面的源極導電層、位于所述漏極表面的所述像素電極。