[發(fā)明專利]一種離子注入設(shè)備用電極和離子注入設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410307986.7
• 申請(qǐng)日: 2014-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN104091746A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志強(qiáng);康峰;楊波;徐敬義
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01J37/317
• 分類號(hào): H01J37/317;H01J37/30
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種離子注入設(shè)備用電極，其特征在于，所述電極包括本體部分和透過部分；

所述透過部分包括緊密規(guī)則排布的多個(gè)透過孔，且所述透過孔的形狀包括圓形或者正多邊形；

其中，所述正多邊形的邊數(shù)至少為四條。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極，其特征在于，所述透過孔的形狀為圓形；

其中，所述多個(gè)透過孔均勻的分布在所述電極的透過部分，且任意兩個(gè)相鄰?fù)高^孔之間的中心間距相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極，其特征在于，所述透過孔的形狀為正六邊形；

其中，所述多個(gè)透過孔呈蜂巢式排布。

4.一種離子注入設(shè)備，包括離子源系統(tǒng)、離子萃取系統(tǒng)和質(zhì)譜分析儀；其特征在于，所述離子萃取系統(tǒng)中的電極采用權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述電極包括靠近所述離子源系統(tǒng)一側(cè)的加速電極和靠近所述質(zhì)譜分析儀一側(cè)的接地電極；

其中，所述加速電極和所述接地電極之間形成由所述加速電極指向所述接地電極的電場，用于加速并萃取所述離子源系統(tǒng)產(chǎn)生的離子束。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述電極還包括位于所述加速電極和所述接地電極之間的抽取電極；

其中，所述加速電極上施加的電壓高于所述抽取電極上施加的電壓，所述抽取電極上施加的電壓高于所述接地電極上施加的電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述電極還包括位于所述抽取電極和所述接地電極之間的減速電極；

其中，所述接地電極上施加的電壓高于所述減速電極上施加的電壓，且所述抽取電極和所述接地電極之間的電場強(qiáng)度小于所述接地電極和所述減速電極之間的電場強(qiáng)度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述加速電極的透過孔、所述抽取電極的透過孔、所述減速電極的透過孔和所述接地電極的透過孔具有相同的形狀尺寸，且所述加速電極的透過孔、所述抽取電極的透過孔、所述減速電極的透過孔和所述接地電極的透過孔的中心在同一條直線上。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述離子源系統(tǒng)包括離子源和正電極；

其中，所述離子源為等離子體離子源，用于產(chǎn)生等離子體；

所述正電極用于推動(dòng)所述等離子體中的正離子向所述離子萃取系統(tǒng)的方向運(yùn)動(dòng)。