[發明專利]黑色聚酰亞胺膜及其加工方法

在審

• 申請號: 201410307981.4
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN104419205A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 林志維;羅吉歡
• 申請（專利權）人: 達邁科技股份有限公司
• 主分類號: C08L79/08
• 分類號: C08L79/08;C08K3/04;C08K3/34;B32B15/08;B32B27/06
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 苗征;于輝

技術領域

本發明關于一種聚酰亞胺膜及其加工方法，尤其是關于一種可改善掉色問題之黑色聚酰亞胺膜及加工方法。

背景技術

聚酰亞胺膜常用作軟性電路板之基材或覆蓋層(coverlay)之材料，在此種應用中，要求聚酰亞胺膜需具備低光澤度、低透光性及絕緣性等特性，其中，低光澤度可使元件外觀更具質感與美觀，絕緣性及低透光性則可保護內部電路板之電路設計。

一般而言，要制備兼具低光澤度、低透光性及絕緣性之聚酰亞胺膜，在聚酰亞胺膜制程中必須添加呈色添加劑(例如：色料、染料等)及消光劑(matting?agent)兩者，以黑色聚酰亞胺膜為例，通常藉由添加碳黑以降低聚酰亞胺膜之透光度并呈現所欲黑色。

于習知膜加工制程中，須將聚酰亞胺膜所制得之軟性電路板進行雷射鉆孔，再以電漿蝕刻去除鉆孔所產生之膠渣，才可進行后續貼膠及電鍍等制程。然而，如圖1A至圖1C所示，現有的黑色聚酰亞胺膜1于去膠渣(desmear)之電漿蝕刻13之步驟中容易產生掉色問題，即，該黑色聚酰亞胺膜1進行蝕刻時，黑色聚酰亞胺膜1中的聚酰亞胺聚合物11將被蝕刻，而其所含有的碳黑12逐漸裸露并堆積于黑色聚酰亞胺膜1之表面上，于后續制程中極容易脫落，造成后續加工設備之污染。因此，開發出可改善掉色問題之聚酰亞胺膜有其必要性。

發明內容

本發明提供一種黑色聚酰亞胺膜，包括：聚酰亞胺聚合物，其由二胺化合物及二酐化合物反應而形成；以及碳黑，含有氧原子與碳原子，其中該氧原子對該碳原子之重量比為11％以上。

所述的黑色聚酰亞胺膜中，以該聚酰亞胺膜之總重計算，分布在該聚酰亞胺聚合物中的該碳黑占0.5wt％至10wt％。

所述的黑色聚酰亞胺膜中，該碳黑中的氧原子對碳原子的重量比至少等于或高于15％。

所述的黑色聚酰亞胺膜中，該碳黑中的氧原子對碳原子的重量比至少等于或高于19％。

所述的黑色聚酰亞胺膜中，可進一步包括消光劑。

所述的黑色聚酰亞胺膜中，該消光劑選自聚酰亞胺粉體、氧化硅、或其組合。

本發明亦提供一種積層板，包括本發明之黑色聚酰亞胺膜，及設置于其表面之一或復數層之金屬層。

依據本發明另一實施例，為提供一種聚酰亞胺膜，包括：聚酰亞胺聚合物，其由二胺化合物及二酐化合物反應而形成；碳黑，含有氧原子與碳原子，其中該氧原子對該碳原子之重量比為11％以上；以及消光劑，該消光劑選自聚酰亞胺粉體、氧化硅、或其組合。

所述的聚酰亞胺膜中，以該聚酰亞胺膜之總重計算，該碳黑占0.5wt％至10wt％。

所述的聚酰亞胺膜中，該碳黑中的氧原子對碳原子的重量比至少等于或高于15％。

所述的聚酰亞胺膜中，該碳黑中的氧原子對碳原子的重量比至少等于或高于19％。

本發明亦提供一種積層板，其包括：上述的聚酰亞胺膜；以及一或復數金屬層，設置于該聚酰亞胺膜的表面。

本發明亦提供一種黑色聚酰亞胺膜之加工方法，包括：提供黑色聚酰亞胺膜，其中該黑色聚酰亞胺膜包含有聚酰亞胺聚合物及碳黑，該碳黑之氧原子對碳原子之重量比為11％以上；以及對于該黑色聚酰亞胺膜進行蝕刻，其中，該聚酰亞胺聚合物及該碳黑之蝕刻速率大約相同。

所述的加工方法中，以該聚酰亞胺膜之總重計算，該碳黑占0.5wt％至10wt％。

所述的加工方法中，該碳黑中的氧原子對碳原子的重量比至少等于或高于15％。

所述的加工方法中，該碳黑中的氧原子對碳原子的重量比至少等于或高于19％。

附圖說明

第1A圖至第1C圖繪示習知黑色聚酰亞胺膜進行電漿蝕刻的示意圖。

第2A圖及第2B圖繪示本發明黑色聚酰亞胺膜進行電漿蝕刻的示意圖。

附圖中符號說明：

2???黑色聚酰亞胺膜

21??聚酰亞胺聚合物

22??碳黑

23??電漿蝕刻

具體實施方式