[發明專利]垂直雙擴散場效應晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201410307663.8
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN105336774B
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 李理;馬萬里;趙圣哲
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/24
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343
• 代理人: 尚志峰;汪海屏

1.一種垂直雙擴散場效應晶體管制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上依次氧化硅層和淀積多晶硅層之后，通過光刻及刻蝕在所述多晶硅層上形成接觸孔；

向所述襯底注入離子，形成P型體區；

通過第一掩膜在所述P型體區上的第一預設區域形成第一光刻膠掩膜，在所述P型體區注入N型摻雜元素，形成第一源區；

通過第二掩膜在所述P型體區上的第二預設區域形成第二光刻膠掩膜，在所述P型體區注入所述N型摻雜元素，形成第二源區，其中，所述第一源區和所述第二源區不相交；

所述第二源區的N型摻雜元素注入劑量大于所述第一源區的N型摻雜元素注入劑量，且所述第二源區的N型摻雜元素注入能量大于所述第一源區的N型摻雜元素注入能量。

2.根據權利要求1所述的垂直雙擴散場效應晶體管制作方法，其特征在于，所述第二源區包括兩塊獨立的區域，且所述兩塊獨立的區域位于所述第一源區的兩側。

3.根據權利要求1所述的垂直雙擴散場效應晶體管制作方法，其特征在于，所述刻蝕為濕法刻蝕和/或干法刻蝕。

4.根據權利要求1所述的垂直雙擴散場效應晶體管制作方法，其特征在于，所述離子是單一離子或復合離子，其中，所述離子包括以下至少之一或其組合：氫、氦、硼、鋁。

5.根據權利要求1所述的垂直雙擴散場效應晶體管制作方法，其特征在于，所述氧化硅層和所述多晶硅層的厚度均為0.01μm至10μm。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的垂直雙擴散場效應晶體管制作方法，其特征在于，在形成所述第二源區之后，還包括：

在所述襯底表面淀積介質層，刻蝕所述介質層形成溝槽；

在所述襯底表面淀積金屬層，以連接所述第一源區和所述第二源區。

7.根據權利要求6所述的垂直雙擴散場效應晶體管制作方法，其特征在于，所述溝槽的深度為0.1μm至10μm。

8.根據權利要求6所述的垂直雙擴散場效應晶體管制作方法，其特征在于，所述在所述襯底表面淀積介質層之前，還包括：

刻蝕所述P型體區表面的光刻膠，向所述P型體區注入離子。

9.一種垂直雙擴散場效應晶體管，其特征在于，所述垂直雙擴散場效應晶體管采用如權利要求1至8中任一項所述的垂直雙擴散場效應晶體管制作方法制作而成。