[發明專利]一種像素排列結構、顯示裝置及其顯示方法有效
| 申請號: | 201410307378.6 | 申請日: | 2014-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN104112763B | 公開(公告)日: | 2017-07-04 |
| 發明(設計)人: | 郭仁煒;董學;劉鵬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 像素 排列 結構 顯示裝置 及其 顯示 方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種像素排列結構、顯示裝置及其顯示方法。
背景技術
隨著顯示技術的急速進步,作為顯示裝置核心的半導體元件技術也隨之得到了飛躍性的進步。對于現有的顯示裝置而言,有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)作為一種電流型發光器件,因其所具有的自發光、快速響應、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。
目前,在OLED顯示器濾光片的制作中,一般采用三個亞像素:R紅色、G綠色、B藍色組成一個像素,多個上述像素成矩陣形式排列,以形成上述濾光片。因此,用戶在觀看顯示器的過程中,其視覺的分辨率即為該顯示器的物理分辨率(實際的分辨率)。因此,為了提高顯示器的顯示效果,例如,使得顯示畫面更加的逼真細膩,需要在制作顯示器的過程中采用提高PPI(pixels per inch,圖像的采樣率)的設計,即提高每英寸所擁有的像素數目。
對于OLED顯示器而言,由于其濾光片采用紅、綠、藍發光有機材料制成。因此,在實際生產過程中,形成密度高、面積小的有機物樹脂圖案(resin pattern)的難度較大,成本較高。從而使得制作工藝面臨巨大的挑戰。這樣一來,采用現有的制作工藝,將會制約OLED顯示器的高PPI的設計。從而難以提升OLED顯示器的分辨率,降低OLED顯示器顯示畫面的質量和畫質效果。
發明內容
本發明的實施例提供一種像素排列結構、顯示裝置及其顯示方法,實現像素的公用。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
本發明實施例的一方面,提供一種像素排列結構,包括相互平行的至少一個像素單元,所述像素單元包括多個相互間隔排列的第一像素和第二像素;
所述第一像素包括位于第一行的第一亞像素、位于第二行的第二亞像素以及位于第三行和第四行的第三亞像素;
所述第二像素包括位于所述第一行和所述第二行的所述第三亞像素、位于所述第三行的所述第一亞像素以及位于所述第四行的所述第二亞像素;
其中,所述第一亞像素和所述第二亞像素橫向排列,所述第三亞像素縱向排列。
本發明實施例的另一方面,提供一種顯示方法,包括:
接收第一圖像信號,并進行數據處理;
根據處理結果,在如上所述的像素排列結構上設置至少一個采樣區;
公用所述采樣區對應位置處的多個第一亞像素或,第二亞像素或,第三亞像素;
對所述第一圖像信號進行顯示。
本發明實施例的又一方面,提供一種顯示裝置,包括:
接收處理單元,用于接收第一圖像信號,并進行數據處理;
采樣單元,用于根據處理結果,在如上所述的像素排列結構上設置至少一個采樣區;
像素公用單元,用于公用所述采樣區對應位置處的多個第一亞像素或,第二亞像素或,第三亞像素;
顯示單元,用于對所述第一圖像信號進行顯示。
本發明實施例提供一種像素排列結構、顯示裝置及其顯示方法。該像素排列結構包括相互平行的至少一個像素單元,該像素單元包括:多個相互間隔排列的第一像素和第二像素。第一像素包括位于第一行的第一亞像素、位于第二行的第二亞像素以及位于第三行和第四行的第三亞像素;第二像素包括位于第一行和第二行的第三亞像素、位于第三行的第一亞像素以及位于第四行的第二亞像素。其中,第一亞像素和第二亞像素橫向排列,第三亞像素縱向排列。這樣一來,當采用上述像素排列結構制成顯示器時,在顯示過程中,可以在像素排列結構上設置多個采樣區,將采樣區對應位置處的多個第一像素或,第二像素或,第三像素公用,以增加上述采樣區位置處圖片顯示信息的連續性。通過上述虛擬顯示驅動的方式,可以提高PPI,從而提升顯示裝置的分辨率及顯示畫面的質量和畫質效果。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例提供的一種像素排列結構示意圖;
圖2a、圖2b為本發明實施例提供的一種像素排列結構的局部示意圖;
圖3為本發明實施例提供的一種顯示方法的流程圖;
圖4為本發明實施例提供的一種采樣區設計示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





