[發(fā)明專利]LED的量子阱結(jié)構(gòu)、其制作方法及包括其的LED外延片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410307318.4 | 申請日： | 2014-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN104064644A | 公開（公告）日： | 2014-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉為剛;曾瑩;徐迪;苗振林 | 申請（專利權(quán)）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人： | 吳貴明;張永明 |
| 地址： | 423038 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | led 量子 結(jié)構(gòu) 制作方法 包括 外延 | ||
1.一種LED的量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述量子阱結(jié)構(gòu)包括：
第一GaN壘層(10)，設(shè)置于所述LED中n型GaN層上；
第一緩沖層(20)，設(shè)置于所述第一GaN壘層(10)上，所述第一緩沖層(20)包括交替設(shè)置的第一InGaN層(21)和第一GaN層(23)；
第二GaN壘層(30)，設(shè)置于所述第一緩沖層(20)上；
第二緩沖層(40)，設(shè)置于所述第二GaN壘層(30)上，所述第二緩沖層(40)包括交替設(shè)置的第二InGaN層(41)和第二GaN層(43)；
量子阱發(fā)光層(50)，設(shè)置于所述第二緩沖層(40)上，所述量子阱發(fā)光層(50)包括交替設(shè)置的第三InGaN層(51)和第三GaN層(53)，且所述第三InGaN層(51)中In的濃度分別大于所述第二InGaN層(41)中In的濃度和所述第一InGaN層(21)中In的濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一InGaN層(21)中In的濃度小于所述第二InGaN層(41)中In的濃度，所述第二InGaN層(41)中In的濃度小于所述第三InGaN層(51)中In的濃度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，
所述第一InGaN層(21)中In的濃度為1×1019～3×1019atoms/cm3；
所述第二InGaN層(41)中In的濃度為3.5×1019～5×1019atoms/cm3；
所述第三InGaN層(51)中In的濃度為3.5×1020～5×1020atoms/cm3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，
所述第一緩沖層(20)包括3～5組交替設(shè)置的所述第二InGaN層(41)和所述第二GaN層(43)；
所述第二緩沖層(40)包括6～9組交替設(shè)置的所述第二InGaN層(41)和所述第二GaN層(43)；
所述量子阱發(fā)光層(50)包括6～9組交替設(shè)置的所述第三InGaN層(51)和所述第三GaN層(53)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，
所述第一緩沖層(20)中各所述第一InGaN層(21)的厚度為2.5～5nm，各所述第一GaN層(23)的厚度為30～40nm；
所述第二緩沖層(40)中各所述第二InGaN層(41)的厚度為2.5～3nm，各所述第二GaN層(43)的厚度為9～13nm；
所述量子阱發(fā)光層(50)中各所述第三InGaN層(51)的厚度為2.5～3nm，各所述第三GaN層(53)厚度為9～13nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，
所述第一GaN壘層(10)的厚度為50～80nm；
所述第二GaN壘層(30)的厚度為30～60nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述LED為綠光LED。
8.一種LED的量子阱結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在所述LED中n型GaN層上形成第一GaN壘層(10)；
在所述第一GaN壘層(10)上形成第一緩沖層(20)，所述第一緩沖層(20)包括交替形成的第一InGaN層(21)和第一GaN層(23)；
在所述第一緩沖層(20)上形成第二GaN壘層(30)；
在所述第二GaN壘層(30)上形成第二緩沖層(40)，所述第二緩沖層(40)包括交替形成的第二InGaN層(41)和第二GaN層(43)；
在所述第二緩沖層(40)上形成量子阱發(fā)光層(50)，所述量子阱發(fā)光層(50)包括交替形成的第三InGaN層(51)和第三GaN層(53)，且所述第三InGaN層(51)中In的濃度分別大于所述第二InGaN層(41)中In的濃度和所述第一InGaN層(21)中In的濃度。
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