[發(fā)明專利]一種轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410307294.2
• 申請(qǐng)日: 2014-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN104016340B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 左青云;康曉旭;李銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): C01B31/04
• 分類號(hào): C01B31/04
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的方法，包括：

步驟1：在初始襯底上制備完成石墨烯薄膜；

步驟2：目標(biāo)襯底與位于初始襯底上的石墨烯薄膜直接貼合對(duì)準(zhǔn)；

步驟3：將石墨烯薄膜從初始襯底剝離，粘附并轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底；

步驟4：對(duì)目標(biāo)襯底上的石墨烯薄膜進(jìn)行清洗處理。

2.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述步驟1中的初始襯底為金屬或初始襯底帶有負(fù)載金屬催化劑。

3.如權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述金屬或負(fù)載金屬催化劑由金屬：銅Cu、鎳Ni、鐵Fe、鈷Co或鉑Pt組成。

4.如權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述金屬的厚度為10納米～50微米。

5.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述步驟1中在初始襯底上通過化學(xué)氣相淀積CVD工藝制備石墨烯薄膜。

6.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述步驟2中初始襯底上的石墨烯薄膜與目標(biāo)襯底直接貼合對(duì)準(zhǔn)后，用固定部件將兩者相對(duì)固定。

7.如權(quán)利要求6所述的轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述固定部件是夾具。

8.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述步驟2中石墨烯薄膜由光刻刻蝕工藝形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)。

9.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述步驟3中石墨烯薄膜通過電化學(xué)或金屬腐蝕的方法從初始襯底剝離。

10.如權(quán)利要求9所述的轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，電化學(xué)方法使用濃度為0.1mol/L～10mol/L的氫氧化鈉NaOH溶液作為電解液，兩極偏壓16～30V。