[發(fā)明專利]具有穿通電極的半導體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410307263.7
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN104658997A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設計）人: 李大雄
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/488
• 代理公司: 北京弘權知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 毋二省;俞波

1.一種半導體器件，包括：

穿通電極，穿透器件主體；

焊盤，設置在所述穿通電極的端部上方，所述焊盤具有與所述穿通電極的所述端部的中心部分重疊的重疊區(qū)域；以及

凸塊，設置在所述焊盤上方而沒有接觸所述焊盤的所述重疊區(qū)域。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述重疊區(qū)域是第一重疊區(qū)域，以及

其中，所述焊盤進一步包括與所述穿通電極的所述端部的邊緣部分重疊的第二重疊區(qū)域。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述穿通電極包括銅材料。

4.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，

其中，所述第一重疊區(qū)域具有在平面圖中的圓形形狀；以及

其中，所述第二重疊區(qū)域具有在平面圖中圍繞所述第一重疊區(qū)域的環(huán)形形狀。

5.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述凸塊包括：

多個凸塊接腳，設置成彼此分隔開且接觸所述焊盤的所述第二重疊區(qū)域；以及

凸塊主體，設置在所述凸塊接腳上。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體器件，其中，所述凸塊接腳被設置成在平面圖中相對于所述穿通電極的中心點是對稱的。

7.根據(jù)權利要求5所述的半導體器件，其中，所述凸塊接腳中每個凸塊接腳接觸所述焊盤的所述第二重疊區(qū)域的一部分。

8.根據(jù)權利要求5所述的半導體器件，進一步包括設置在所述第二重疊區(qū)域中的所述凸塊接腳之間的絕緣層。

9.一種半導體器件，包括：

穿通電極，穿透器件主體；

焊盤，設置在所述穿通電極的端部上方，所述焊盤具有在平面圖中與所述穿通電極重疊的重疊區(qū)域、以及包圍所述重疊區(qū)域的非重疊區(qū)域；以及

凸塊，設置在所述焊盤上方，

其中所述凸塊包括設置在所述焊盤的所述重疊區(qū)域上方的中心凸塊接腳、設置在所述焊盤的所述非重疊區(qū)域上方的多個外圍凸塊接腳、以及設置在所述中心凸塊接腳以及所述多個外圍凸塊接腳上的凸塊主體。

10.一種半導體器件，包括：

穿通電極，穿透器件主體；以及

凸塊，設置成接觸所述穿通電極的端部表面的邊緣部分而沒有接觸所述穿通電極的所述端部表面的中心部分。