[發明專利]物理量傳感器有效
| 申請號： | 201410305822.0 | 申請日： | 2014-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN104280182B | 公開（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發明（設計）人： | 矢澤久幸;菊入勝也;高橋亨 | 申請（專利權）人： | 阿爾卑斯電氣株式會社 |
| 主分類號： | G01L9/04 | 分類號： | G01L9/04 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人： | 張莉 |
| 地址： | 暫無信息 | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 物理量 傳感器 | ||
1.一種物理量傳感器，其利用壓阻效應來探測物理量，所述物理量傳感器的特征在于，具有：
第1導電型的阱層，其形成在第1絕緣層上；和
多個第2導電型的壓阻層，其形成在所述第1導電型的阱層的表面側，
在所述多個第2導電型的壓阻層之間，具有從所述第1導電型的阱層的表面貫通至所述第1絕緣層的表面的第2導電型的分離層。
2.根據權利要求1所述的物理量傳感器，其特征在于，
所述多個第2導電型的壓阻層包含：
第1壓阻層，其形成于靠近電源焊盤的位置；和
第2壓阻層，其形成于遠離所述電源焊盤的位置，
所述物理量傳感器構成橋接電路，該橋接電路具有：
第1壓阻元件，其具有所述第1壓阻層；和
第2壓阻元件，其具有所述第2壓阻層，
在所述第1壓阻元件與所述第2壓阻元件之間形成了所述分離層。
3.根據權利要求1或2所述的物理量傳感器，其特征在于，
所述第2導電型的分離層形成為包圍所述第1導電型的阱層的周圍。
4.根據權利要求1或2所述的物理量傳感器，其特征在于，
形成所述多個第2導電型的壓阻層的所述第1導電型的阱層分別被設置于規定電位。
5.根據權利要求1或2所述的物理量傳感器，其特征在于，
具有在所述第1導電型的阱層的表面形成的第2絕緣層，
在位于所述第2絕緣層與所述多個第2導電型的壓阻層之間的所述第1導電型的阱層內，將第1導電型的屏蔽層設置為在俯視下與所述多個第2導電型的壓阻層相重疊。
6.根據權利要求1或2所述的物理量傳感器，其特征在于，
具有：第2絕緣層，其形成在所述第1導電型的阱層的表面；和第2導電型的引出布線層，其與所述第2導電型的壓阻層相連接，并且形成在所述第1導電型的阱層內，
在所述第1導電型的阱層內，將第1導電型的屏蔽層設置為與所述第2絕緣層相接觸，并且在俯視下與所述第2導電型的引出布線層不重疊。
7.根據權利要求5所述的物理量傳感器，其特征在于，
所述第1導電型的屏蔽層與所述第1導電型的阱層設置于相同電位。
8.根據權利要求6所述的物理量傳感器，其特征在于，
所述第1導電型的屏蔽層與所述第1導電型的阱層設置于相同電位。
9.根據權利要求1或2所述的物理量傳感器，其特征在于，
所述第1導電型的阱層由將2枚硅基板夾著氧化膜粘合而成的SOI基板的一方的硅基板構成。
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